[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201480020406.4 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN105103289B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 堀尾真史;仲村秀世;仲野逸人;池田良成 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王颖;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,具备:
绝缘基板,具有绝缘板和电路板;
半导体芯片,在正面具有栅电极和源电极,背面固定于所述电路板;
印刷基板,具有第一金属层和第二金属层,并且与所述绝缘基板对置;
第一导电柱,两端电连接且机械连接到所述栅电极和所述第一金属层;
第二导电柱,两端电连接且机械连接到所述源电极和所述第二金属层;以及
电路阻抗降低元件,通过所述第一导电柱和所述第二导电柱而电连接在所述栅电极与所述源电极的之间,
通过所述第一金属层和所述第二金属层而电连接有所述电路阻抗降低元件,
在所述第一金属层和所述第二金属层的表面电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件,
所述半导体芯片、所述电路板以及除所述第一金属层的一部分以及所述第二金属层的一部分以外的所述印刷基板被绝缘树脂覆盖,
在没有被所述绝缘树脂覆盖的所述第一金属层和所述第二金属层,电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件。
2.一种半导体装置,具备:
绝缘基板,具有绝缘板和电路板;
半导体芯片,在正面具有栅电极和源电极,背面固定于所述电路板;
印刷基板,具有第一金属层和第二金属层,并且与所述绝缘基板对置;
第一导电柱,两端电连接且机械连接到所述栅电极和所述第一金属层;
第二导电柱,两端电连接且机械连接到所述源电极和所述第二金属层;以及
电路阻抗降低元件,通过所述第一导电柱和所述第二导电柱而电连接在所述栅电极与所述源电极的之间,
通过所述第一金属层和所述第二金属层而电连接有所述电路阻抗降低元件,
所述半导体装置具备:
第三导电柱,电连接且机械连接到所述第一金属层;以及
第四导电柱,电连接且机械连接到所述第二金属层,
在所述第三导电柱与所述第四导电柱之间电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件,
所述半导体芯片、所述电路板和所述印刷基板被绝缘树脂覆盖,
所述第三导电柱和所述第四导电柱从所述绝缘树脂突出,
在该突出了的所述第三导电柱与所述第四导电柱之间电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件。
3.一种半导体装置,具备:
绝缘基板,具有绝缘板和电路板;
半导体芯片,在正面具有栅电极和源电极,背面固定于所述电路板;
印刷基板,具有第一金属层和第二金属层,并且与所述绝缘基板对置;
绝缘树脂,覆盖所述半导体芯片、所述电路板和所述印刷基板;
第一导电柱,一端电连接且机械连接到所述栅电极,另一端从所述绝缘树脂突出,两端之间的部分与所述第一金属层电连接且机械连接;
第二导电柱,一端电连接且机械连接到所述源电极,另一端从所述绝缘树脂突出,两端之间的部分与所述第二金属层电连接且机械连接;以及
电路阻抗降低元件,通过所述第一导电柱和所述第二导电柱而电连接在所述栅电极与所述源电极的之间,
在所述第一导电柱与所述第二导电柱的之间电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件,
在该突出了的所述第一导电柱与所述第二导电柱之间电连接且机械连接有所述电路阻抗降低元件。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,在从所述半导体芯片的栅电极起算的布线电感为5nH以下的位置处电连接且机械连接有电路阻抗降低元件。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,所述电路阻抗降低元件是从由电容器、二极管和MOSFET组成的组中选择的一种元件。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,具备:
多个所述半导体芯片以及多个所述电路阻抗降低元件。
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