[发明专利]用于太阳能电池的直列式扩散方法在审
申请号: | 201480020592.1 | 申请日: | 2014-04-09 |
公开(公告)号: | CN105247659A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | P·J·里克特;F·博塔里 | 申请(专利权)人: | BTU国际公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 直列式 扩散 方法 | ||
1.一种在硅晶片的相应面上同时扩散不同类型的掺杂剂的方法,包括以下步骤:
将第一液体掺杂材料施加到所述晶片的第一面;
将第二液体掺杂材料施加到所述晶片的第二面;以及
加热所述晶片以使所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂同时扩散到所述晶片的相应面中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一液体掺杂材料包括III族掺杂剂。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第二液体掺杂材料包括V族掺杂剂。
4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述掺杂剂是硼化合物。
5.根据权利要求3所述的方法,其中,所述掺杂剂是磷化合物。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,施加所述第一掺杂材料和所述第二掺杂材料的步骤包括移印、喷涂、浸涂、辊涂、凹面涂覆、棒涂、喷墨印刷或丝网印刷的其中之一。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,施加所述第一掺杂材料和所述第二掺杂材料的步骤包括:将所述第一掺杂材料和所述第二掺杂材料移印到所述晶片的相应的所述第一面和所述第二面。
8.根据权利要求1所述的方法,包括将覆盖涂层施加到所述第一掺杂材料之上的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法,包括将覆盖涂层施加到所述第二掺杂材料之上的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法,包括将覆盖涂层施加到所述第一掺杂材料和所述第二掺杂材料中的每个掺杂材料之上的步骤。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述加热步骤包括:在传输通过熔炉室期间直列式加热所述晶片。
12.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一液体掺杂材料是包括硼酸、1-甲基-2-吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、以及2-丙醇的溶液。
13.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二液体掺杂材料是包括磷酸、1-甲基-2-吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮、以及2-丙醇的溶液。
14.根据权利要求1所述的方法,还包括:去除在加热和扩散期间形成在所述晶片的所述第一面和所述第二面上的扩散玻璃层。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,去除所述扩散玻璃层的步骤包括:从所述晶片的所述第一面和所述第二面同时去除所述扩散玻璃层。
16.根据权利要求1所述的方法,其中,通过用氢氟酸的溶液蚀刻所述晶片的两个面来执行所述扩散玻璃层的同时去除。
17.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第一液体掺杂材料是基于水的硼溶液。
18.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二液体掺杂材料是基于水的磷溶液。
19.根据权利要求1所述的方法,还包括干燥所述第一液体掺杂材料和所述第二液体掺杂材料中的任意一个或者两个的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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