[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201480020633.7 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105103272B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 浦野裕一 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/28;H01L21/285;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，是具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
正面电极层形成工序，在成为所述半导体芯片的半导体晶片的正面，形成正面电极层作为所述正面电极；
保护膜形成工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述半导体晶片的正面以露出所述正面电极层并在所述半导体晶片的外周部残留保护膜的方式，进行保护膜的形成；
薄化工序，在所述正面电极层形成工序之后，磨削所述半导体晶片的背面，使所述半导体晶片的厚度变薄；
镀覆工序，在所述薄化工序之后，在所述正面电极层的表面，形成电极镀膜作为所述正面电极；和
背面电极形成工序，在所述镀覆工序之后，在所述半导体晶片的磨削后的背面形成所述背面电极。
2.一种半导体装置的制造方法，是具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
正面电极层形成工序，在成为所述半导体芯片的半导体晶片的正面，形成正面电极层作为所述正面电极；
保护膜形成工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述半导体晶片的正面以露出所述正面电极层并在所述半导体晶片的外周部残留保护膜的方式，进行保护膜的形成；
薄化工序，在所述正面电极层形成工序之后，磨削所述半导体晶片的背面，使所述半导体晶片的厚度变薄；
镀覆工序，在所述薄化工序之后，在所述正面电极层的表面，形成电极镀膜作为所述正面电极；和
背面电极形成工序，在所述镀覆工序之后，在所述半导体晶片的磨削后的背面形成所述背面电极，
所述制造方法还包括：在所述镀覆工序之前，在所述半导体晶片的背面粘贴支撑基板，并对于所述支撑基板实施用于使其具有对镀覆液的耐受性的处理的工序。
3.一种半导体装置的制造方法，是具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
薄化工序，磨削成为所述半导体芯片的半导体晶片的背面，使所述半导体晶片的厚度变薄；
正面电极层形成工序，在所述薄化工序之后，在所述半导体晶片的正面，形成正面电极层作为所述正面电极；
保护膜形成工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述半导体晶片的正面以露出所述正面电极层并在所述半导体晶片的外周部残留保护膜的方式，进行保护膜的形成；
镀覆工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述正面电极层的表面，形成电极镀膜作为所述正面电极；和
背面电极形成工序，在所述镀覆工序之后，在所述半导体晶片的磨削后的背面形成所述背面电极。
4.一种半导体装置的制造方法，是具备在正面和背面分别具有正面电极和背面电极的半导体芯片的半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
薄化工序，磨削成为所述半导体芯片的半导体晶片的背面，使所述半导体晶片的厚度变薄；
正面电极层形成工序，在所述薄化工序之后，在所述半导体晶片的正面，形成正面电极层作为所述正面电极；
保护膜形成工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述半导体晶片的正面以露出所述正面电极层并在所述半导体晶片的外周部残留保护膜的方式，进行保护膜的形成；
镀覆工序，在所述正面电极层形成工序之后，在所述正面电极层的表面，形成电极镀膜作为所述正面电极；和
背面电极形成工序，在所述镀覆工序之后，在所述半导体晶片的磨削后的背面形成所述背面电极，
所述制造方法还包括：在所述镀覆工序之前，在所述半导体晶片的背面粘贴支撑基板，并对于所述支撑基板实施用于使其具有对镀覆液的耐受性的处理的工序。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：背面结构形成工序，在所述薄化工序之后且在所述镀覆工序之前，在所述半导体晶片的背面侧形成成为背面结构的半导体区，
在所述背面电极形成工序中，形成与所述背面结构接触的所述背面电极。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述背面电极形成工序中，通过溅射法，在所述半导体晶片的整个背面形成所述背面电极。
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