[发明专利]透明导电层压板、包含透明导电层压板的透明电极及透明导电层压板的制造方法有效
申请号: | 201480020734.4 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105122381B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 成知玹;郑镇美;孙镛久;李承宪;章盛晧;辛富建;黃智泳 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 许向彤,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 层压板 包含 电极 制造 方法 | ||
相关专利申请的交叉引用
本申请要求于2013年8月1日在韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2013-0091805的优先权和权益,将其全部内容通过引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种透明导电层压板、包含所述透明导电层压板的透明电极及所述透明导电层压板的制造方法。
背景技术
透明导电层压板是指具有高透光度和导电性的薄膜,并且已经被广泛用作液晶显示器、电致变色显示器(ECD)、有机电致发光装置、太阳能电池、等离子体显示板、柔性显示器、电子纸、触控板等的电压施加型公共电极或像素电极。
可能有必要设计透明导电氧化物(transparent conducting oxides(TCO))的材料以便在可见光区域传递光以及具有高传导性。为了在可见光区域(400至700纳米的波长)透明,电子能带隙(electronic energy bandgap)需要为3.1eV或3.1eV以上,这是400纳米的波长的电磁能。
满足这样的特征的氧化物半导体的代表是ZnO(3.3eV)、In2O3(3.7eV)和SnO2(3.6eV)。通常,TCO在可见光区域内具有80%或80%以上的光透过率,并且具有作为电气特性的约10-4Ωcm或10-4Ωcm以下的电阻率。
为了找到用于TCO的材料,到目前已经进行了对各种材料进行掺杂(doping)、合金化(alloying)等方法的研究。特别地,在In2O3的情况下,由于In2O3具有低于SnO2或ZnO的电阻率,因此In2O3最早被商业化,并且今天仍在使用的In2O3是ITO(掺杂Sn的In2O3)。
然而,在诸如ITO和ZnO的材料制成的透明导电薄膜中存在低传导性的问题。为了解决这个问题,以改善传导性,已经尝试在透明导电薄膜电极上形成由金属图案形成的辅助电极,但是由于辅助电极而增加了表面台阶(surface step)和表面粗糙度,并且因此在涂覆(coating)等后处理中存在不能顺利地执行的问题。
[参考文献]
韩国专利公报:10-1050137
发明内容
本发明致力于提供一种可以解决所述问题的透明导电层压板、包含所述透明导电层压板的透明电极和所述透明导电层压板的制造方法。
本发明的示例性实施例提供一种透明导电层压板,包括:透明基板;设置在所述透明基板上的两个或多个透明导电图案;以及具有比所述透明导电图案更高的导电性的导电线路,其中,所述导电线路和所述透明导电图案设置在所述透明基板的同一表面上,并且所述导电线路被设置为在至少两个相邻的透明导电图案之间以接触所述透明导电图案的至少一部分。
本发明的另一个示例性实施例提供一种透明导电层压板,进一步包括:设置在所述透明导电图案和所述导电线路的上表面上的透明导电层。
本发明的又一个示例性实施例提供一种包含所述透明导电层压板的透明电极。
本发明的再一个示例性实施例提供一种透明导电层压板的制造方法,包括:制备透明基板;在所述透明基板上形成第一透明导电层;通过图案化所述第一透明导电层来形成两个或多个透明导电图案的图案化;以及在至少两个相邻的透明导电图案之间形成导电线路使得所述导电线路的至少一部分接触所述透明导电图案。
根据所述示例性实施例,由于所述透明导电层压板具有低的薄层电阻(sheet resistance),所以所述透明导电层压板具有作为透明电极的出色的效果。
此外,所述透明导电层压板具有这样的优势:具有高的开口率(aperture ratio)和高的可见光透过率。
此外,由于所述透明导电层压板具有非常小的表面台阶,在所述透明导电层压板上形成诸如有机材料层的另一层作为后处理的情况下,有利于显著地降低出错率(error rate)。
此外,当包含所述透明导电层压板的所述透明电极用于电子装置中时,有利于实现低出错率和由于优异的导电性而显示的高效率。
附图说明
图1示出了根据本发明的示例性实施例的透明导电层压板的侧截面的部分区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社,未经LG化学株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480020734.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。