[发明专利]传感器芯片的制造方法和计算机断层探测器

权利要求书

1.一种传感器芯片，具有被电气连接到辐射检测元件(9)的模数转换器(10)以及晶体基板(1)，其中所述辐射检测元件(9)的部件以及所述模数转换器(10)的部件被光刻地集成在所述晶体基板(1)的一个探测器侧(12)上，

其中所述模数转换器(10)经由所述晶体基板(1)的过孔触点(6)被电气连接到所述晶体基板(1)的与所述探测器侧(12)相反的第二侧(13)上的电气连接元件(7)。

2.根据权利要求1所述的传感器芯片，

其特征在于，所述过孔触点(6)具有金属镀层(5)，所述金属镀层(5)被设置以用于将数字信号从所述探测器侧(12)通过所述晶体基板(1)向所述晶体基板(1)的所述第二侧(13)传输。

3.根据权利要求2所述的传感器芯片，

其特征在于，所述过孔触点(6)至少部分地由在所述晶体基板(1)中的凹部(4)形成。

4.根据权利要求3所述的传感器芯片，

其特征在于，所述电气连接元件(7)被施加在所述晶体基板(1)的所述第二侧(13)上。

5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器芯片，其特征在于，所述辐射检测元件(9)的部件、所述模数转换器(10)的部件以及所述连接元件(7)的部件是电气部件或电子部件。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的传感器芯片，其特征在于，所述传感器芯片旨在用于具有横向相邻的传感器芯片的平坦的布置。

7.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中所述传感器芯片是用于计算机断层扫描探测器的。

8.根据权利要求3所述的传感器芯片，其中所述凹部(4)是蚀刻的凹部。

9.根据权利要求5所述的传感器芯片，其中所述辐射检测元件(9)的部件、所述模数转换器(10)的部件以及所述连接元件(7)的部件是导电的导体路径(14)、未掺杂和/或掺杂的半导体层。

10.根据权利要求6所述的传感器芯片，其中所述横向相邻的传感器芯片结构上相同。

11.一种具有根据权利要求6所述的多个传感器芯片的计算机断层扫描探测器。

12.一种传感器芯片的制造方法，其中

-在第一步骤，在晶体基板(1)的一个探测器侧(12)上，光刻地集成辐射检测元件(9)的部件以及模数转换器(10)的部件，

-在第二步骤，使得所述晶体基板(1)在所述探测器侧(12)与所述辐射检测元件(9)的部件以及所述模数转换器(10)的部件绝缘，

-在第三步骤，设计用于所述探测器侧(12)的导体路径(14)与所述晶体基板(1)的与所述探测器侧(12)相对的第二侧(13)的导体路径(15)的导电连接的过孔触点(6)，以及

-在第四步骤，使所述晶体基板(1)在所述第二侧(13)被绝缘。

13.一种用于操作传感器芯片的方法，其中

在所述传感器芯片的晶体基板(1)的一个探测器侧(12)上检测辐射，并且所检测到的辐射被转换为模拟信号并且所述模拟信号通过模数转换器(10)被转换为数字信号，

其特征在于，来自所述探测器侧(12)的所述数字信号经由所述基板(1)的过孔触点(6)被传导到所述基板(1)的第二侧。

14.根据权利要求13所述的方法，

其特征在于，在所述基板(1)的所述第二侧上的所述数字信号被电气部件或电子部件传导。

15.根据权利要求14所述的方法，其中在所述基板(1)的所述第二侧上的所述数字信号被连接元件(7)的部件传导。