[发明专利]硅氧烷化合物及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201480020852.5 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN105143313B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: Y·刘;K·A·凯勒;M·E·维尔松 申请(专利权)人: 美利肯公司
主分类号: C08G77/04 分类号: C08G77/04;H01L23/29;H01L33/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 于辉
地址: 美国南卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硅氧烷 化合物 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本申请涉及硅氧烷化合物(例如:硅氧烷低聚物和硅氧烷化合物)、交联有机硅聚合物及其制备方法。

背景技术

在现代工业中硅氧烷化合物和有机硅(silicone)具有多种用途。例如,硅氧烷化合物广泛用于交联有机硅聚合物的制备。这些聚合物通常通过氢化硅烷化反应或者缩合反应来制备。在氢化硅烷化反应中,带有乙烯基的硅氧烷化合物发生加成反应,以通过形成新的Si-C键来连接所述化合物的单个分子。氢化硅烷化反应通常由铂催化,这样将会提高这些聚合物的成本,因为不能从固化的弹性体中回收铂。在缩合反应中,硅氧烷化合物发生缩合反应,以在单个分子间形成新的Si-O-Si键合。该缩合反应产生挥发性有机化合物(VOC)作为副产品。

交联有机硅聚合物能够用作电子设备的密封剂或者封装物(encapsulant)。特别是,交联有机硅聚合物能够被用作发光二极管(LED)的封装物。这些交联有机硅聚合物因其未妨碍电子元件的运行而合乎需要。然而,具有足以用作较大功率LED的封装物的高温稳定性的交联有机硅聚合物不具有高的折射率。该较低的折射率意味着从LED的光输出将因为LED的半导体模具中的内反射而减弱。

人们需要如下硅氧烷化合物:该硅氧烷化合物适合用于制备交联有机硅聚合物中而不会生成大量挥发性反应产物,例如通过缩合固化交联有机硅聚合物产生的含碳VOC。还需要硅氧烷化合物和交联有机硅聚合物,该硅氧烷化合物和交联有机硅聚合物呈现高折射率并且由此更好地适合用于这样的应用中,即需要封装材料呈现高折射率的那些应用(例如:LED密封物应用)。还需要制备这些硅氧烷化合物和交联有机硅聚合物的方法。本申请中描述的主题致力于满足这些需求及其它需求。

发明内容

在第一实施方案中,本发明提供包含多个硅氧烷重复单元的硅氧烷化合物,其中约10mol%或更多的所述硅氧烷重复单元为环三硅氧烷重复单元,并且所述环三硅氧烷重复单元独立地选自符合如下式(I)结构的环三硅氧烷重复单元:

其中R1和R2独立地选自烷基、经取代的烷基、环烷基、经取代的环烷基、烯基、经取代的烯基、环烯基、经取代的环烯基、杂环基、经取代的杂环基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基、三烷基甲硅烷氧基、芳基二烷基甲硅烷氧基、烷基二芳基甲硅烷氧基和三芳基甲硅烷氧基;R3和R4独立地选自烷基、经取代的烷基、烷二基(alkanediyl)、经取代的烷二基、环烷基、经取代的环烷基、烯基、经取代的烯基、烯二基、经取代的烯二基、环烯基、经取代的环烯基、杂环基、经取代的杂环基、芳基、经取代的芳基、杂芳基、经取代的杂芳基、三烷基甲硅烷氧基、芳基二烷基甲硅烷氧基、烷基二芳基甲硅烷氧基和三芳基甲硅烷氧基;前提条件是,如果R3和R4中的一个选自烷二基、经取代的烷二基、烯二基和经取代的烯二基,那么R3和R4中的另一个也选自烷二基、经取代的烷二基、烯二基和经取代的烯二基,并且R3和R4键合形成环状部分。

在第二实施方案中,本发明提供用于制备硅氧烷化合物的方法,该方法包括如下步骤:

(a)提供第一硅氧烷化合物,该第一硅氧烷化合物包含至少一个符合式(XX)结构的链段

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