[发明专利]紫外发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

n型接触层，包括GaN层；

p型接触层，包括AlGaN层或AlInGaN层；

具有多量子阱结构的有源区，其布置在所述n型接触层和所述p型接触层之间，

其中具有所述多量子阱结构的所述有源区包括由GaN或InGaN形成的阱层，所述阱层具有小于2nm的厚度并且发射峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光；

超晶格层，布置在所述n型接触层与所述有源区之间，所述超晶格层具有InGaN/InGaN重复层叠的结构；

电子注入层，布置在所述超晶格层与所述有源区之间，其中所述电子注入层的n型杂质掺杂浓度高于所述超晶格层的n型杂质掺杂浓度；

未掺杂GaN层，布置在所述n型接触层与所述超晶格层之间；以及

低浓度GaN层，布置在所述未掺杂GaN层与所述超晶格层之间，其中所述低浓度GaN层具有在低于所述n型接触层的n型杂质掺杂浓度下进行掺杂的n型杂质掺杂浓度，且具有相对于未掺杂GaN层的厚度更薄的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中由GaN或InGaN形成的所述阱层具有不小于1nm但小于2nm的厚度。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层不包含Al。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区还包括阻挡层，并且所述阻挡层由AlInGaN形成。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层和所述阻挡层在不同的生长温度下生长。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述阱层和所述阻挡层通过将In、Ga和N的源气体连续引入至腔室中且将Al的源气体间歇地引入至所述腔室中而生长。

7.根据权利要求4所述的发光器件，其中具有所述多量子阱结构的所述有源区的所述阱层和所述阻挡层在彼此相同的生长温度下生长。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光通过由GaN或InGaN形成的所述阱层发射。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中进一步一起发射峰值波长在360nm至400nm范围内的紫外光以及峰值波长在340nm至360nm范围内的紫外光。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述p型接触层包括下AlGaN高浓度掺杂层、上AlGaN高浓度掺杂层及布置在所述下AlGaN高浓度掺杂层与所述上AlGaN高浓度掺杂层之间的AlGaN低浓度掺杂层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中相较于所述下AlGaN高浓度掺杂层和所述上AlGaN高浓度掺杂层的厚度，所述AlGaN低浓度掺杂层的厚度更厚。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电子注入层是由GaN或InGaN形成。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述n型接触层与所述有源区之间的外延层是由不包含所述AlGaN层的氮化物类半导体层形成。