[发明专利]溅射靶及其制造方法在审
| 申请号： | 201480020879.4 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN105121695A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 张守斌;梅本启太;小路雅弘 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
1.一种溅射靶，其为具有如下成分组成的烧结体，即作为金属元素含有Ga：10～40原子％、Na：0.1～15原子％，且残余部分由Cu及不可避免杂质构成，所述溅射靶的特征在于，
在所述烧结体中，以由硫酸钠、亚硫酸钠、硒酸钠及亚硒酸钠中的至少1种构成的Na化合物来含有Na，
所述烧结体具有Na化合物相分散的组织，所述Na化合物相的平均粒径为10.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
在所述烧结体中，0.05mm2以上的Na化合物的凝集体在靶表面的1cm2面积内为平均1个以下。
3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，
所述烧结体的理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为lmΩ·cm以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，
所述烧结体中的金属相的平均晶体粒径为20μm以下。
5.一种溅射靶的制造方法，其特征在于，具有：
混合由硫酸钠、亚硫酸钠、硒酸钠及亚硒酸钠中的至少1种构成的Na化合物粉末和Cu-Ga粉末而制作混合粉末的工序；及烧结所述混合粉末而制作烧结体的工序，
所述Cu-Ga粉末由Cu-Ga合金粉末构成或者由Cu-Ga合金粉末和Cu粉末构成，平均粒径为1～45μm，粒径30μm以下的粒子占所述Cu-Ga粉末的粉末总重量的50质量％以上。
6.根据权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其中，
在制作所述混合粉末的工序之前，具有在70℃以上的温度下干燥所述Na化合物粉末的工序。
7.根据权利要求5或6所述的溅射靶的制造方法，其中，
在制作所述混合粉末的工序之后，具有在70℃以上的温度下干燥所述混合粉末的工序。
8.根据权利要求5至7中任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，
在烧结所述混合粉末的工序中，在非氧化性气氛或真空中烧结所述混合粉末。
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