[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

并列pn层，设置在第一导电型的漏层的第一主表面上并包括多个pn结、第一导电型的漂移区和第二导电型的分隔区，其中，所述多个pn结沿垂直方向延伸且彼此平行，所述第一导电型的漂移区和所述第二导电型的分隔区设置在pn结之间并交替地布置以彼此接触；

MOS栅结构，设置在所述并列pn层的第一主表面侧上；以及

第一导电型的第一缓冲层，设置在所述并列pn层与所述漏层之间，

其中，所述第一缓冲层的杂质浓度比所述漂移区低，

所述并列pn层中的至少一个所述分隔区被杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型区所替代，

所述MOS栅结构包括设有第一导电型的源区的第二导电型的基区，所述第一导电型区与所述第二导电型的基区接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

第一导电型的第二缓冲层，设置在所述第一缓冲层与所述漏层之间，并具有比所述漂移区高的杂质浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述并列pn层的载流子寿命比所述第二缓冲层短。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一缓冲层的载流子寿命比所述第二缓冲层短。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二缓冲层的寿命未被调整。

6.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述半导体装置包括：第一导电型的高浓度缓冲层，设置在第一导电型的漏层的第一主表面上并具有比漂移区高的杂质浓度；第一导电型的低浓度缓冲层，设置在所述高浓度缓冲层上并具有比所述漂移区低的杂质浓度；以及并列pn层，设置在所述低浓度缓冲层上，在所述并列pn层中，第一导电型的漂移区与第二导电型的分隔区交替地布置，至少一个所述分隔区被杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型区所替代，

所述方法包括：

利用重金属的添加或用带电粒子的照射来调整所述并列pn层的载流子寿命，以使所述并列pn层的载流子寿命比所述高浓度缓冲层的载流子寿命短的步骤。

7.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述半导体装置包括：并列pn层，设置在第一导电型的漏层的第一主表面上，在所述并列pn层中，第一导电型的漂移区与第二导电型的分隔区交替地布置，至少一个所述分隔区被杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型区所替代，

所述方法包括：

在所述漏层的第一主表面上，形成杂质浓度比所述漂移区高的第一导电型的高浓度缓冲层的步骤；

在所述高浓度缓冲层上，形成杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型的低浓度缓冲层的步骤；

在所述低浓度缓冲层上形成所述并列pn层的步骤；以及

从所述并列pn层侧添加重金属或照射带电粒子，以使所述并列pn层的载流子寿命比所述高浓度缓冲层的载流子寿命短的步骤。

8.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述半导体装置包括：并列pn层，设置在第一导电型的漏层的第一主表面上，在所述并列pn层中，第一导电型的漂移区与第二导电型的分隔区交替地布置，至少一个所述分隔区被杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型区所替代，

所述方法包括：

在半导体基板的正面侧上形成所述并列pn层的步骤；

在所述半导体基板的正面侧上的所述并列pn层上形成元件结构的步骤；

在所述半导体基板的背面侧上形成杂质浓度比所述漂移区低的第一导电型的低浓度缓冲层的步骤；

从所述半导体基板的背面在比所述低浓度缓冲层浅的位置，形成杂质浓度比所述漂移区高的第一导电型的高浓度缓冲层的步骤；以及

从所述高浓度缓冲层侧添加重金属或照射带电粒子，以使所述并列pn层的载流子寿命比所述高浓度缓冲层的载流子寿命短的步骤。