[发明专利]切换导体器件的方法

权利要求书

1.一种导通半导体器件的方法，所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端，所述方法包括以下步骤：

(i)在接收到导通信号时，施加电压到所述半导体器件的所述栅极端来将所述半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至所述半导体器件的所述栅极端以预定时间段；

(ii)在所述预定时间段之后，控制施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压来以变化的缓变率改变所述集电极-发射极电压，直到所述集电极-发射极电压达到预定电压水平，对施加到所述半导体器件的所述栅极端用以改变所述集电极-发射极电压的电压进行的这种控制包括：

将所述集电极-发射极电压降低到第二预定电压平台水平；

将所述集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平，以调节所述半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；以及

将所述集电极-发射极电压降低到所述半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及

(iii)控制施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压来将所述集电极-发射极电压保持在所述预定电压水平。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：使用监测所述集电极-发射极电压的闭合反馈环来限定施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压。

3.一种导通一组串联连接的半导体器件中的多个半导体器件的方法，每个半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端，所述方法包括以下步骤：

(i)在接收到导通信号时，施加电压到每个半导体器件的栅极端来将该半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至每个半导体器件的栅极端以预定时间段；

(ii)在所述预定时间段之后，控制施加到每个半导体器件的栅极端的电压来以变化的缓变率改变集电极-发射极电压，直到集电极-发射极电压达到预定电压水平，对施加到每个半导体器件的栅极端用以改变集电极-发射极电压的电压进行的这种控制包括：

将每个半导体器件的集电极-发射极电压降低到第二预定电压平台水平；

将每个半导体器件的集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平，以调节所述多个半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；以及

将每个半导体器件的集电极-发射极电压降低到该半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及

(iii)控制施加到每个半导体器件的栅极端的电压来将每个半导体器件的集电极-发射极电压保持在所述预定电压水平。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述预定时间段足够长以允许具有不同关断状态退出时长的多个半导体器件中的每个半导体器件关断以退出其关断状态。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述一组串联连接的半导体器件电连接到至少一个反向并联二极管，并且控制施加到每个半导体器件的栅极端的电压来以变化的缓变率改变集电极-发射极电压包括：将每个半导体器件的集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平，直到所述或每个反向并联二极管完成反向恢复。

6.一种用于导通半导体器件的控制电路，所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端，所述控制电路包括电压请求曲线发生器，在接收到导通信号时：

(i)施加电压到所述半导体器件的所述栅极端来将所述半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至所述半导体器件的所述栅极端以预定时间段；

(ii)在所述预定时间段之后，施加电压到所述半导体器件的所述栅极端来以变化的缓变率改变所述集电极-发射极电压，直到所述集电极-发射极电压达到预定电压水平，施加到所述半导体器件的所述栅极端的电压具体用于：

将所述集电极-发射极降低到第二预定电压平台水平；

将所述集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平，以调节所述半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；以及

将所述集电极-发射极电压降低到所述半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及

(iii)施加电压到所述半导体器件的所述栅极端来将所述集电极-发射极电压保持在所述预定电压水平。