[发明专利]层叠金属薄板的半导体检测板及其制造方法在审
申请号: | 201480021321.8 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN105103282A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 尹璟燮 | 申请(专利权)人: | 硅谷股份公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 延边科友专利商标代理有限公司 22104 | 代理人: | 崔在吉 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 金属薄板 半导体 检测 及其 制造 方法 | ||
1.一种层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:包括在导电性金属薄板(1)上涂布绝缘性第一树脂(2)而制造初级薄板的薄板制造阶段(S1);对所述初级薄板的金属薄板(1)进行蚀刻形成至少两个线条,从而制造至少两个线条状导电体(11)之间相隔所定距离的二级薄板的蚀刻阶段(S2);层叠至少两个二级薄板而制造一个堆叠(62)的层叠阶段(S3);及以所定厚度垂直切割层叠的堆叠(62)的切割阶段(S4)。
2.根据权利要求1所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:所述第一树脂(2)包括硅、聚氨酯、PE、PP、PT、橡胶中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:还包括所述蚀刻阶段之后向形成有线条状导电体(11)的二级薄板上部涂覆第二树脂(3),使所述第二树脂(3)形成绝缘体的涂覆阶段。
4.根据权利要求2所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:所述第二树脂(3)包括硅、聚氨酯、PE、PP、PT、橡胶中的至少一个。
5.根据权利要求1或3所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:在涂布所述第一树脂(2)或第二树脂(3)之前,向待涂布的表面涂覆底漆(40),以提高树脂的粘附力。
6.一种层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:包括在绝缘性膜的一面粘贴导电性金属薄板而制造初级薄板的薄板制造阶段(S1);对所述初级薄板的金属薄板进行蚀刻形成至少两个线条,从而制造至少两个线条状导电体(11)之间相隔所定距离的二级薄板的蚀刻阶段(S2);层叠至少两个二级薄板而制造一个堆叠的层叠阶段(S3);以所定厚度垂直切割层叠的堆叠的切割阶段(S4)。
7.根据权利要求6所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:所述膜包括硅、聚氨酯、PI、PET、PEN、PE、PP、PT、橡胶中的至少一个。
8.根据权利要求6所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:在所述层叠阶段向形成有线条状导电体的二级薄板上面涂覆粘合剂,利用由所述粘合剂构成的粘合层层叠至少两个二级薄板。
9.根据权利要求8所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:所述粘合层包括硅、聚氨酯、PI、PET、PEN、PE、PP、PT、橡胶中的至少一个。
10.根据权利要求1或6所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:还包括所述切割阶段之后对检测板表面进行化学镀层以防止导电体(11)氧化的镀敷阶段。
11.根据权利要求1或6所述的层叠金属薄板的半导体检测板的制造方法,其特征在于:所述金属薄板(1)包括Cu、Au、Ag、Pt、Fe、Al、Ni、Mg、Pb、Zn、Sn、Co、Cr、Mn、C中的至少一个。
12.一种层叠金属薄板的半导体检测板,其特征在于:包括第一层(21a),由截面呈四角形并沿Y轴方向具有所定长度的绝缘体构成;和第二层(21b),由至少两个四角形导电体(11)构成,所述四角形导电体(11)每隔所定间距沿Z轴方向贯通四角形截面的绝缘体,所述四角形截面的绝缘体具有与第一层相同的Z轴方向高度和Y轴方向长度;所述第一层(21a)和第二层(21b)沿X轴方向交替层叠,从而在整体上形成四角形的板,所述板的X轴两端部设有第一层(21a)。
13.根据权利要求12所述的层叠金属薄板的半导体检测板,其特征在于:所述导电体(11)的上面和下面还包括有镀层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造