[发明专利]用于使用电荷监测形成存储器单元的设备及方法

权利要求书

1.一种用于使用电荷监测形成存储器单元的方法，其包括：

在首次编程电阻式存储器单元之前且与其分开的所述电阻式存储器单元的形成阶段中将电压施加到所述电阻式存储器单元；

监测经由所述电压施加到所述电阻式存储器单元的形成电荷；及

基于正在监测的所述形成电荷调整所述电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将电压施加到所述电阻式存储器单元包括将电容器充电且通过所述电阻式存储器单元将所述电容器放电；且其中监测所述形成电荷包括测量跨越所述电容器的电压的改变。

3.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述电压包括：

当经监测电荷低于特定值时升高所述电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中调整所述电压包括：

当经监测的所述形成电荷高于特定预定值时降低所述电压。

5.一种具有经过形成阶段的存储器单元的设备，其包括：

电阻式存储器单元；

电容器；

比较器，其具有耦合到所述电容器的第一输入、耦合到参考电压节点的第二输入及输出；

晶体管，其耦合到所述电容器且耦合到所述电阻式存储器单元；及

控制电路，其耦合到所述比较器的所述输出，其中所述控制电路经配置以基于所述比较器的所述输出而调整施加到所述晶体管的栅极的电压，以在首次编程所述电阻式存储器单元之前且与其分开的所述电阻式存储器单元的形成阶段中形成所述电阻式存储器单元。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述控制电路经配置以响应于所述比较器的所述第一输入处的电压变为低于所述比较器的所述第二输入处的电压而调整施加到所述晶体管的所述栅极的所述电压。

7.根据权利要求5所述的设备，其中所述比较器包括第一比较器且所述参考电压节点包括第一参考电压节点，且所述设备进一步包括：

第二比较器，其具有耦合到所述电容器的第一输入、耦合到第二参考电压节点的第二输入及输出，其中所述第二比较器的所述输出耦合到所述控制电路，且其中在操作期间，所述第二参考电压节点处的电压低于所述第一参考电压节点处的电压。

8.根据权利要求7所述的设备，其中：

所述控制电路经配置以响应于所述第一比较器的所述第一输入处的所述电压变为低于所述第一比较器的所述第二输入处的所述电压而将施加到所述晶体管的所述栅极的所述电压调整到第一电平；且

所述控制电路进一步经配置以响应于所述第二比较器的所述第一输入处的电压变为低于所述第二比较器的所述第二输入处的电压而将施加到所述晶体管的所述栅极的所述电压调整到第二电平。

9.根据权利要求5所述的设备，其中所述电阻式存储器单元包括电阻式随机存取存储器RRAM单元，所述RRAM单元包含基于二元过渡金属氧化物的材料、基于铜的材料或硫属化物。

10.根据权利要求5所述的设备，其中所述晶体管配置为源极跟随器配置。

11.根据权利要求5所述的设备，其中：

所述电容器具有在100飞法拉到1毫微法拉范围内的电容。

12.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括：

开关，其耦合到所述电容器；其中所述开关进一步耦合到所述控制电路；且进一步其中

所述控制电路经配置以操作所述开关来开始及结束所述电容器的充电。

13.一种具有经过形成阶段的存储器单元的设备，其包括：

电阻式存储器单元；

电容器；

晶体管，其耦合到所述电阻式存储器单元且耦合到所述电容器；

模/数转换器ADC，其耦合到所述电容器，所述ADC具有基于所述电容器的电压的输出；及

控制电路，其耦合到所述ADC的所述输出，其中所述控制电路经配置以基于所述ADC的所述输出而调整施加到所述晶体管的栅极的电压，以在首次编程所述电阻式存储器单元之前且与其分开的形成阶段中形成所述电阻式存储器单元。

14.根据权利要求13所述的设备，其中所述控制电路经配置以响应于所述ADC的所述输出指示所述电容器的所述电压已达到第一电平而调整施加到所述晶体管的所述栅极的所述电压。