[发明专利]用于半导体处理应用的压力控制器配置

说明书

示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年6月17日提交的美国非临时专利申请No.13/919,838的优先权，所述美国非临时专利申请要求2013年4月19日提交的美国临时申请No.61/813,808的权益，这两个申请的标题都是“用于半导体处理应用的压力控制器配置”(“Pressure ControllerConfiguration for Semiconductor Processing Applications”)。这两个申请的整体公开内容出于所有目的通过引用并入本文。

技术领域

当前的技术涉及半导体工艺和设备。更明确而言，当前的技术涉及用于系统控制的处理腔室和部件。

背景技术

通过在基板表面上产生经复杂地图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能的。在基板上产生图案化的材料需要用于对暴露的材料的沉积和去除的受控的方法。例如，化学蚀刻用于各种目的，这些目的包含将光刻胶中的图案转移到位于下方的层中、使层变薄或使已存在于表面上的特征的横向尺度变薄。经常，需要具有相比另一种材料更快地蚀刻一种材料的蚀刻工艺以促进例如图案转移工艺。此类蚀刻工艺被称作对于第一材料是具有选择性的。作为材料、电路和工艺多样性的结果，已开发出对各种材料具有选择性的蚀刻工艺，并且可在某个温度和压力模式(regime)中执行每一个工艺。

随着这些部件和工艺变得更加复杂，更严格的公差可能日益影响整体质量，并且环境改变可能影响最终产品。对于许多半导体工艺，可在一个腔室中执行第一工艺，随后转移至另外的腔室以进行另外的处理。此类转移可能由于环境改变以及对于整体制造而言增加的排队时间而产生不期望的缺陷。

因此，需要用于执行半导体制造工艺的改进的方法和系统。通过当前的技术来解决这些需求和其他需求。

发明内容

描述了用于在半导体腔室中控制压力的系统和方法。示例性半导体处理系统可包含处理腔室以及与所述处理腔室耦合的第一压力调节装置。第二压力调节装置也可与处理腔室耦合，并且与第一压力调节装置分开。第一泵可与第一压力调节装置流体地耦合，并且可与第二压力调节装置流体地隔离。第二流体泵可与第二压力调节装置流体地耦合

处理系统可进一步包含至少一个第一压力测量装置，所述至少一个第一压力测量装置与处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给第一压力调节装置。系统还可包含至少一个第二压力测量装置，所述至少一个第二压力测量装置与处理腔室耦合，并且经配置以将信息提供给第二压力调节装置。第一压力调节装置可经配置以在第一压力范围内调节处理腔室压力，并且第一压力范围可以是约5托(Torr)或低于约5托，并且可以是约1托或低于约1托。第二压力调节装置可经配置以在第二压力范围内调节处理腔室压力，并且第二压力范围可以是约0.1托或高于约0.1托，并且可以是约1托或高于约1托。在所公开的实施例中，当第一压力调节装置是打开的时候，第二压力调节装置可配置为是关闭的。此外，当第二压力调节装置是打开的时候，第一压力调节装置可配置为是关闭的。