[发明专利]用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备和方法

权利要求书

1.一种用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其包括：

邻近空气承载表面的波导；

近场传感器，该近场传感器邻近该波导，并包括具有垂直于空气承载表面的侧面的桩；和

写入磁极，该写入磁极邻近波导，并包括相对于空气承载表面以非垂直角度延伸朝向空气承载表面的第一部分,和接触第一部分并包括延伸朝向和垂直地接触空气承载表面的侧面的第二部分，

其中，第二部分限定垂直于空气承载表面的桩的侧面以及延伸朝向并垂直地接触空气承载表面的写入磁极的第二部分的侧面之间的间隙，其中所述间隙在平行于空气承载表面的相对两侧面上由所述近场传感器的盘和所述空气承载表面来限定。

2.如权利要求1所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，第二部分具有均匀的横截面形状。

3.如权利要求2所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述横截面形状是矩形。

4.如权利要求1所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，第二部分包括磁性材料。

5.如权利要求4所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述磁性材料包括金属或合金。

6.如权利要求5所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述金属或合金包括铁、钴或镍中的至少一种。

7.如权利要求1所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，第一部分以15°-70°的角度相对于空气承载表面设置。

8.如权利要求1所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述间隙是沿着空气承载表面的5nm-100nm的长度。

9.如权利要求1所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，用绝缘体至少部分地填充所述间隙。

10.如权利要求9所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述绝缘体包括氧化物、氮化物或它们的化合物。

11.如权利要求10所述的用于控制近场传感器和写入磁极间隔的设备，其特征在于，所述氧化物包括二氧化硅或氧化铝。

12.一种制备磁性记录头的方法，所述方法包括：

在与基材平行的平面上图案沉积近场传感器桩和近场传感器盘，

其中，所述近场传感器盘接触所述近场传感器桩；

在与基材平行的平面上沉积绝缘层，

其中所述绝缘层覆盖所述近场传感器桩和近场传感器盘；

平坦化包括所述绝缘层、所述近场传感器桩和所述近场传感器盘的表面；

在该平坦化的表面上图案沉积蚀刻阻挡层,然后沉积散热器,其中该散热器接触该近场传感器盘；

在该散热器顶部并接触散热器地沉积斜面层；

蚀刻该斜面层来形成斜面的散热器；

去除所述蚀刻阻挡层；和

图案化在该斜面的散热器和该绝缘层顶部并接触该斜面的散热器和绝缘层的写入磁极。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述散热器包括纳米晶体金刚石。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括介电材料。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述介电材料包括氧化铝或二氧化硅。

16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述写入磁极的第二部分包括磁性材料，该磁性材料包括金属或合金，其包括铁、钴或镍中的至少一种。