[发明专利]差分电流感测放大器和非易失性存储器的方法

权利要求书

1.一种感测非易失性存储器的存储器单元的导电电流的方法，包括：

提供用于访问存储器单元的位线，所述位线具有从存储器单元的导电电流和由于噪声而导致的电流中构成的第一位线电流；

预充电电容器到高于参考电压的第一预定电压；

在第一感测阶段中，用第一位线电流来放电所述电容器达预定时间段，其中，所述第一预定电压下降到第二电压；

在第二感测阶段中，截止所述存储器单元的导电电流，使得所述位线具有从由于噪声而导致的电流构成的第二位线电流，并用所述第二位线电流充电所述电容器达与预定时间段相同的时间，其中，所述第二电压增加到第三电压；以及

比较所述第三电压与所述参考电压以测量所述存储器单元的导电电流。

2.如权利要求1的方法，进一步包括:

保持位线在预定的位线电压处；

也通过字线访问所述存储器单元；以及

其中，所述截止导电电流包括设置所述字线为具有与预定的位线电压相同的电压。

3.如权利要求1的方法，其中:

所述电容器被提供有第一和第二端子，所述第二端子被操作在比第一端子更高的电压电平处；以及

所述放电电容器包括耦合位线到第二端子。

4.如权利要求1的方法，其中:所述电容器被提供有第一和第二端子，所述第二端子被操作在比第一端子更高的电压电平处；以及

所述充电电容器包括耦合位线到第一端子。

5.如权利要求1的方法，其中:

所述电容器被提供有第一和第二端子，所述第二端子被操作在比第一端子更高的电压电平处；以及

所述方法进一步包括:

在第一感测阶段期间，临时地将预定的升压电压施加到第一端子。

6.如权利要求1的方法，进一步包括:

提供晶体管，所述晶体管具有栅极和作为参考电压的给定的阈值；以及所述比较第三电压与参考电压是将所述第三电压施加于所述栅极并确定所述晶体管是否正导电。

7.如权利要求1的方法，其中:

所述存储器单元是并行感测的一组存储器单元中的一个。

8.如权利要求1的方法，其中:

所述存储器单元具有电阻，所述电阻响应于施加到其的编程电压而在电阻上可逆地偏移。

9.如权利要求1的方法，其中:

所述非易失性存储器是NAND类型的。

10.一种感测电路，用于感测非易失性存储器的存储器单元的导电电流，所述感测电路包括：

用于访问存储器单元的位线，所述位线具有从存储器单元的导电电流和由于噪声而导致的电流中构成的第一位线电流；

位线电压电路，用于保持所述位线在预定的电压处；

电容器；

预充电电路，耦合到所述电容器，以预充电所述电容器到高于参考电压的第一预定电压；

在第一感测阶段中，第一组信号使得所述电容器能够被耦合以用第一位线电流来放电达预定时间段，其中，所述第一预定电压下降到第二电压；

在第二感测阶段中，所述存储器单元使得导电电流被截止，使得所述位线具有从由于噪声而导致的电流构成的第二位线电流，并且第二组信号使得所述电容器被耦合以用所述第二位线电流充电达与所述预定时间段相同的时间，

其中，所述第二电压增加到第三电压；以及

比较器，用于比较所述第三电压与所述参考电压以测量所述存储器单元的导电电流。

11.如权利要求10的感测电路，进一步包括:

字线，用于访问存储器单元；以及

其中，所述存储器单元使得导电电流被截止，且所述字线具有与预定的位线电压相同的电压。

12.如权利要求10的感测电路，其中:

所述电容器具有第一和第二端子，所述第二端子被操作在比第一端子更高的电压电平处；以及

所述第一组信号使得所述电容器能够被耦合到第二端子用于用第一位线电流放电。

13.如权利要求10的感测电路，其中:

所述电容器具有第一和第二端子，所述第二端子被操作在比第一端子更高的电压电平处；以及

所述第二组信号使得所述电容器能够被耦合到第一端子用于用第二位线电流充电。