[发明专利]化合物半导体装置以及树脂密封型半导体装置有效
| 申请号： | 201480021714.9 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105122441B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 水原秀树;松岛芳宏;大桥慎一 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘凤岭;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 装置 及其 制造 方法 以及 树脂 密封 | ||
1.一种化合物半导体装置，其具有：
成为化合物半导体芯片的基台的芯片基板，
在所述芯片基板的上方设置的氮化铝层，
在所述氮化铝层的上方设置的化合物半导体层，以及
在所述化合物半导体层的上表面配置的半导体元件；
其中，在所述芯片基板的侧面的一部分、所述氮化铝层的侧面以及所述化合物半导体层的侧面构成连续的斜面，
在所述氮化铝层的侧面形成有含有硅和铝之中的至少一种的非晶质层或者多晶层。
2.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其中，所述化合物半导体层的整个侧面为斜面。
3.一种化合物半导体装置，其具有：
成为化合物半导体芯片的基台的芯片基板，
在所述芯片基板的上方设置的氮化铝层，
在所述氮化铝层的上方设置的化合物半导体层，以及
在所述化合物半导体层的上表面配置的半导体元件；
其中，在所述氮化铝层的侧面形成有含有硅和铝之中的至少一种的非晶质层或者多晶层；
以断面观察，在所述氮化铝层的侧面形成的所述非晶质层或者所述多晶层的、与所述芯片基板的上表面平行的方向的厚度大于所述化合物半导体层的厚度。
4.根据权利要求1或3所述的化合物半导体装置，其中，在所述非晶质层或者所述多晶层中，所述氮化铝层以及所述化合物半导体层被非晶化。
5.根据权利要求1或3所述的化合物半导体装置，其中，
所述芯片基板的表面具有沿着划片槽的凹部，
所述非晶质层或者所述多晶层与所述凹部接触。
6.根据权利要求1或3所述的化合物半导体装置，其中，所述非晶质层或者所述多晶层含有1原子％以上的硅。
7.根据权利要求1或3所述的化合物半导体装置，其中，所述非晶质层或者所述多晶层在其表面具有平均间距为0.05～1.0μm的凹凸。
8.根据权利要求1或3所述的化合物半导体装置，其中，所述芯片基板由硅、碳化硅、蓝宝石之中的任一种构成。
9.一种树脂密封型半导体装置，其特征在于：权利要求1或3所述的化合物半导体装置的所述非晶质层或者所述多晶层与组装用树脂制剂接触，所述树脂密封型半导体装置通过铸模树脂密封、或者往部件内装基板上的内装、或者倒装芯片安装而进行底面充胶或者侧面充胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
