[发明专利]具有含有最小串扰的热隔绝区的静电夹盘有效
申请号: | 201480021725.7 | 申请日: | 2014-05-06 |
公开(公告)号: | CN105122439B | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | V·D·帕科;K·马赫拉切夫;J·德拉罗萨;H·诺巴卡施;B·L·梅斯;小道格拉斯·A·布齐伯格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/324 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导热 基底 热隔离器 上表面 定位盘 下表面 热区 陶瓷 基板支撑组件 静电夹盘 最小串扰 接合 热隔绝 热隔离 近似 延伸 | ||
1.一种基板支撑组件,包括:
陶瓷定位盘;以及
导热基底,所述导热基底具有与所述陶瓷定位盘的下表面接合的上表面,其中所述导热基底包括:
数个热区;以及
数个热隔离器,所述数个热隔离器从所述导热基底的上表面朝向所述导热基底的下表面延伸,其中所述数个热隔离器中的每一个提供在所述导热基底的上表面处的所述数个热区中的两个热区之间的热隔离,并且其中所述数个热隔离器中的从所述导热基底的所述上表面朝向所述下表面延伸的至少一个热隔离器具有为所述导热基底的总厚度的60%-90%的深度。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述数个热隔离器中的至少一个是不连续的。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述数个热隔离器中的第一热隔离器具有与所述数个热隔离器中的第二热隔离器不同的深度。
4.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述导热基底具有安装孔,并且其中所述数个热隔离器中毗邻于所述安装孔的一个或多个热隔离器相较于所述数个热隔离器中不毗邻于所述安装孔的其他热隔离器具有较浅的深度。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包括:
抗等离子体层,所述抗等离子体层涂覆所述导热基底的一侧。
6.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述数个热区包括四个热区并且所述数个热隔离器包括三个热隔离器。
7.如权利要求6所述的基板支撑组件,其中所述数个热隔离器中的第一热隔离器距所述基板支撑组件的中心20-40mm,所述数个热隔离器中的第二热隔离器距所述基板支撑组件的中心80-100mm,并且所述数个热隔离器中的第三热隔离器距所述基板支撑组件的中心120-140mm。
8.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述数个热隔离器包括数个空隙,并且其中所述数个空隙被填充有硅氧树脂、处于真空下,或被排放到大气。
9.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包括:
在所述数个热隔离器上且顺应所述数个热隔离器的形状的数个导电膜,所述数个导电膜具有小于20Watts/m-K的热导率。
10.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述数个热区中的每一个包括与不同的设定点冷却器耦接的至少一个导管。
11.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包括:
塑料板,所述塑料板机械地附连至所述导热基底的下表面;
设备板,所述设备板机械地附连至所述塑料板的下表面;以及
阴极底板,其中所述设备板经由螺栓被拴至所述阴极底板,所述螺栓通过所述设备板延伸到所述阴极底板中。
12.如权利要求1所述的基板支撑组件,进一步包括:
嵌在所述导热基底中在所述导热基底的所述上表面处的热管理材料,所述热管理材料沿着第一方向与第二方向具有不同的导热性质。
13.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述陶瓷定位盘包括AlN、具有1-5mm的厚度并且具有6-8.4mm的串扰长度。
14.一种制造静电夹盘的方法,包括:
形成具有数个导管的导热基底;
在所述导热基底中形成数个热隔离器,其中所述数个热隔离器从所述导热基底的上表面朝向所述导热基底的下表面延伸,其中所述数个热隔离器在所述导热基底中限定数个热区,其中所述数个热隔离器中的每一个是位于所述数个导管的相邻导管之间,并且其中所述数个热隔离器中的从所述导热基底的所述上表面朝所述下表面延伸的至少一个热隔离器具有为所述导热基底的总厚度的60%-90%的深度;以及
将所述导热基底的上表面接合至静电定位盘。
15.如权利要求14所述的方法,其中形成所述数个热隔离器包括形成数个空隙以及用有机接合材料填充所述数个空隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造