[发明专利]压印材料有效
申请号: | 201480021778.9 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN105210174B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 小林淳平;加藤拓;铃木正睦 | 申请(专利权)人: | 日产化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;C08F2/46 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 段承恩,李照明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 压印 材料 | ||
技术领域
本发明涉及一种压印材料(压印用膜形成组合物)、及由该材料制作且转印有图案的膜。更详言而言,涉及一种在固化后、脱模时可容易地将树脂膜从模具上剥离的压印材料、以及由该材料制作、与基板的密合性优异,且耐擦伤性也优异的转印有图案的膜。
背景技术
1995年,现普林斯顿大学的Chou教授等提出了一种纳米压印光刻技术这样的新技术(专利文献1)。纳米压印光刻技术为使具有任意图案的模具与形成有树脂膜的基材接触,对该树脂膜加压,并且使用热或光作为外部刺激,将目标图案形成于固化的该树脂膜的技术,该纳米压印光刻技术与现有半导体器件制造中的光刻技术等相比,具有可简单·便宜地进行纳米级加工的优点。
因此,纳米压印光刻技术为代替光刻技术,可期待在半导体器件、光学器件、显示器、存储介质、生物芯片等的制造中应用的技术,因此,对于纳米压印光刻技术中使用的光纳米压印光刻技术用固化性组合物,进行有各种各样的报道(专利文献2、专利文献3)。
另外,在光纳米压印光刻技术中,作为以高效率批量生产转印有图案的膜的方法,提出了辊对辊方式。以往的光纳米压印光刻技术中所提出的辊对辊方式使用柔性膜作为基材,且作为用于纳米压印光刻技术的材料(以下,本说明书中简称为“压印材料”),使用不加入溶剂以使图案尺寸不易变化的无溶剂型的材料的方法成为主流。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:美国专利第5772905号说明书
专利文献2:日本特开2008-105414号公报
专利文献3:日本特开2008-202022号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述,以往所提出的压印材料使用无溶剂型的材料,但有时压印后的膜和基材薄膜无法构建适合的密合性。
另外,在纳米压印光刻技术中使用高价的模具的情况下,要求模具的长寿命化,但在脱模时,若将固化的树脂膜从模具上剥下时所需的力(以下,本说明书中简称为“脱模力”。)大,则树脂容易附着于模具,模具容易变得无法使用。因此,对压印材料而言,要求低脱模力性(可容易地将固化的树脂膜从模具上剥离的特性)。
另外,在固体摄像装置、太阳能电池、LED装置、显示器等制品中,对于作为用于其内部或表面的光学部件而制作的结构物,有时要求耐擦伤性。
然而,以往虽然公开了各种压印材料,但对于与膜基材具有充分的密合性且脱模力(可容易地将固化的树脂膜从模具上剥离的特性)小,而且耐擦伤性优异的材料没有具体的研究或报告。
本发明是基于上述情况而完成的,其所要解决的课题在于,提供一种在使用压印材料来形成树脂膜时,对于膜基材具有充分的密合性且耐擦伤性优异,在脱模时可容易地将树脂膜从模具上剥离的压印材料,以及提供一种由该材料制作的转印有图案的膜。
具体而言,其目的在于提供如下的压印材料:在形成在评价涂膜的密合性的划格试验中没有剥离,且脱模力为0.5g/cm以下,并且对于转印图案后的膜进行钢丝棉擦伤试验时几乎未产生伤痕(产生的伤痕为1条以下)的膜。
用于解决课题的手段
本发明人等为了解决上述课题进行了潜心研究,结果出乎意料地发现通过使用包含具有氧化丙烯单元及/或氧化乙烯单元且在末端具有聚合性基团的化合物和规定的(甲基)丙烯酰胺化合物及光聚合引发剂的材料作为压印材料,在将模具面上通过该材料的光固化而转印有模具图案的固化被膜从模具面上剥时所测量的脱模力非常小,另外,由该材料制作的转印有图案的膜和基材的密合性优异,且即使在该图案上进行钢丝棉擦伤试验也几乎未产生伤痕,以至完成了本发明。
即,对本发明而言,作为第1观点,涉及一种压印材料,含有下述(A)成分、(B)成分及(C)成分。
(A)成分:下述式(1)所示的化合物
(B)成分:具有氧化烯且在末端具有2至6个聚合性基团的化合物,且该氧化烯为氧化乙烯单元、氧化丙烯单元或它们的组合
(C)成分:光聚合起始剂
(式中,R1表示氢原子或甲基,R2表示氢原子或碳原子数1至3的烷基,n表示1或2,
在n为1的情况下,
R3表示可被选自以下取代基中的至少1个取代基取代的碳原子数1至12的烷基:
羟基、羧基、乙酰基、1个或2个氢原子可被甲基取代的氨基、磺酸基及碳原子数1至4的烷氧基,
在n为2的情况下,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社,未经日产化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480021778.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:静电保护元件以及发光模块
- 下一篇:一种短信存储方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造