[发明专利]有机膜化学机械研磨浆料组成物及使用其的研磨方法

权利要求书

1.一种CMP浆料组成物，用于研磨有机膜，包括：

极性溶剂及非极性溶剂中的至少一种；

金属氧化物研磨剂；以及

氧化剂为铈铵盐，

其中所述CMP浆料组成物为酸性，且所述有机膜含有50原子％至95原子％的碳，

其中所述CMP浆料组成物具有1.9或更小的pH值，

其中所述氧化剂以0.001重量％至1重量％的量存在于所述CMP浆料组成物中，

所述有机膜具有0.5公克/立方公分至2.5公克/立方公分的膜密度及0.4GPa或更大的硬度。

2.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜具有1.0公克/立方公分至2.0公克/立方公分的膜密度及1.0GPa或更大的硬度。

3.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述金属氧化物研磨剂包括二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、二氧化钛以及氧化锆中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述金属氧化物研磨剂以0.1重量％至20重量％的量存在于所述CMP浆料组成物中。

5.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述CMP浆料组成物还包含pH值调节剂。

6.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述CMP浆料组成物还包含至少一种由苹果酸、柠檬酸、甲酸、戊二酸、草酸、酞酸、丁二酸、酒石酸、顺丁烯二酸以及丙二酸中选出的研磨促进剂。

7.根据权利要求1所述的CMP浆料组成物，其中所述有机膜由用于制备有机膜的组成物形成，所述用于制备有机膜的组成物包括具有经取代或未经取代的芳族基的化合物。

8.根据权利要求7所述的CMP浆料组成物，其中所述具有所述经取代的芳族基的化合物是以由式A表示的官能基及由式B表示的官能基中的至少一者取代：

<式A>

*-(O)n-(CH₂)m-P(＝O)(R)(R')

<式B>

*-B(R)(R')

其中在式A及式B中，n为0或1，m为0至10的整数，

R、R'各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C20烷基、经取代或未经取代的C2至C20烯基、经取代或未经取代的C3至C20环烷基、经取代或未经取代的C1至C20卤烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷基磺酸酯基、经取代或未经取代的C1至C20烷磺酰基、经取代或未经取代的C2至C20烷酰胺基、经取代或未经取代的C3至C20烷基酯基、经取代或未经取代的C2至C20氰基烷基、经取代或未经取代的C1至C20烷氧基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C6至C30芳基烷基或经取代或未经取代的C6至C30芳氧基，或

R、R'彼此连接以形成经取代或未经取代的C3至C20环烷基或经取代或未经取代的C3至C20杂环烷基。