[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器有效
| 申请号： | 201480021973.1 | 申请日： | 2014-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105144310B | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | H01C7/04 | 分类号： | H01C7/04;C01G31/00;C23C14/06;C23C14/34;C30B29/38;G01K7/22;H01C17/12 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热敏电阻 金属 氮化物 材料 及其 制造 方法 以及 薄膜 传感器 | ||
1.一种热敏电阻，其特征在于，
由以通式：(M1-vVv)xAly(N1-wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，
所述金属氮化物的结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，
所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
2.根据权利要求1所述的热敏电阻，其特征在于，
所述金属氮化物形成为膜状，
并且为沿垂直于所述膜的表面的方向延伸的柱状结晶。
3.根据权利要求1所述的热敏电阻，其特征在于，
所述金属氮化物形成为膜状，
在垂直于所述膜的表面的方向上，c轴的取向强于a轴的取向。
4.一种薄膜型热敏电阻传感器，其特征在于，具备：
绝缘性薄膜；
薄膜热敏电阻部，在该绝缘性薄膜上由权利要求1所述的金属氮化物形成；及
一对图案电极，至少形成在所述薄膜热敏电阻部的上侧或下侧。
5.根据权利要求4所述的薄膜型热敏电阻传感器，其特征在于，
所述M为Ti、Cr中至少包含Cr的一种或两种，
所述图案电极的至少接合于所述薄膜热敏电阻部的部分由Cr形成。
6.一种热敏电阻的制造方法，其特征在于，其是制造权利要求1所述的热敏电阻的方法，
具有使用M-V-Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜的成膜工序，
所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
7.根据权利要求6所述的热敏电阻的制造方法，其特征在于，
将所述反应性溅射中的溅射气压设定为小于0.7Pa。
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