[发明专利]用于形成切割膜粘合层的组合物及切割膜

说明书

本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物、一种包括含有所述组合物的粘合层的切割膜、一种包括切割膜的切割晶片键合膜以及一种使用切割晶片键合膜切割半导体晶片的方法，所述组合物包含：聚合物添加剂、粘结粘合剂和光引发剂，所述聚合物添加剂包括一种或多种选自如下的聚合物：含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物和含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物，其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01％至4.5％。

技术领域

本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物及切割膜。

背景技术

一般而言，制备半导体芯片的过程包括在晶片形成微型图案，并对晶片抛光，以满足最终器件和封装(packaging)标准。

封装工艺包括：检查工艺，用于检查半导体芯片的缺陷；切割工艺，用于将晶片切分为单个晶片；芯片键合(die bonding)工艺，用于将分离的晶片附着至引线框架(leadframe)的安装板或膜电路(circuit film)；引线键合(wire bonding)工艺，用于将使用电连接方式(例如金属引线)将设置在半导体晶片上的晶片衬垫(chip pad)与引线框架的电路图案或膜电路连接；模塑工艺，用于使用封装材料覆盖半导体芯片的外部，以保护其内部电路和其他部件；修饰工艺(trim process)，用于切断连接引线的堤坝(dambar)；成型(forming)工艺，用于将引线弯曲成所需的形状；以及成品检查过程，用于检查最终封装的缺陷；等。

在切割过程中，使用金刚石砂轮等将晶片切割成预定厚度。在本文中，为了固定晶片，将切割膜在适当的条件下层压至晶片的背面，并随后实施所述工艺。并且，为了将切割的各晶片附着至电路板，使用芯片键合膜。

同时，切割工艺包括以下步骤：使用切割刀切割半导体晶片；使紫外线照射到半导体晶片的基底膜，并收集通过半导体晶片的切割分离的单个晶片的步骤，但在收集过程中存膜之间固着(fixation)的问题，且由于膜之间的剥离强度过大，收集晶片的成功率降低，或在收集过程中产生晶片裂纹。

发明内容

技术问题

本发明的一个目的在于提供一种用于形成切割膜粘合层的组合物，从而提供能够这样的切割芯片键合膜：在切割过程中防止膜之间固着以增加收集成功率，并表现出高芯片剪切强度以防止因粘合强调降低而导致的剥离现象。

本发明的另一目的在于提供一种切割晶片键合膜。

本发明的又一目的在于提供一种使用切割晶片键合膜的半导体晶片的切割方法。

技术方案

提供一种用于形成切割膜粘合层的组合物，所述组合物包含：聚合物添加剂、粘结粘合剂(adhesive binder)和光引发剂，所述聚合物添加剂包括至少一种选自如下的聚合物：含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物、及含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物中，其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01％至4.5％。

含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物可包括如下化学式1的重复单元：

[化学式1]