[发明专利]一种半导体封装件及在其上形成半导体接合区的方法有效
| 申请号： | 201480022044.2 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105122436B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 拉梅什·科塔达帕尼 | 申请（专利权）人： | 美题隆公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 点焊 半导体 封装 接合 晶片 片状 预制 相应 制造 方法 | ||
1.一种在包括铜钨底座的半导体封装件上形成半导体接合区的方法，包括步骤：
形成具有宽度、长度和均匀厚度的含金的晶片接合片状预制体；
将所述晶片接合片状预制体放置在半导体封装件上的晶片接合区域上；和
在两个间隔的点处将所述晶片接合片状预制体焊接至所述晶片接合区域，
其中，所述半导体封装件未镀金；
所述晶片接合片状预制体本来是金和锡的均匀混合体，所述金和锡的均匀混合体容易通过熔融和再凝固而在金和锡之间发生相分离；并且
利用具有仅一个主电流峰的焊接电流波形通过电流电阻焊接来将所述晶片接合片状预制体焊接至所述晶片接合区域以最小化所述相分离，其中，在预期用于创建焊点的电流之前不施加预热电流。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶片接合片状预制体具有13μm的厚度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述晶片接合片状预制体被轧制为13μm的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括将晶片放置在所述晶片接合片状预制体上。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括通过至少部分地熔化所述晶片接合片状预制体将晶片附接至所述晶片接合区域。
6.一种半导体封装件，包括铜钨底座，并且通过如下步骤形成：
形成具有宽度、长度和均匀厚度的含金的晶片接合片状预制体；
将所述晶片接合片状预制体放置在半导体封装件上的晶片接合区域上；
在两个间隔的点处将所述晶片接合片状预制体焊接至所述晶片接合区域，
其中，所述半导体封装件未镀金；
所述晶片接合片状预制体本来是金和锡的均匀混合体，所述金和锡的均匀混合体容易通过熔融和再凝固而在金和锡之间发生相分离；并且
利用具有仅一个主电流峰的焊接电流波形通过电流电阻焊接来将所述晶片接合片状预制体焊接至所述晶片接合区域以最小化所述相分离，其中，在预期用于创建焊点的电流之前不施加预热电流。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述晶片接合片状预制体具有13μm的厚度。
8.根据权利要求6或7所述的半导体封装件，其中所述晶片接合片状预制体被轧制为13μm的厚度。
9.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中所述晶片接合片状预制体点焊至晶片接合区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美题隆公司，未经美题隆公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480022044.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种环保用空气消毒装置
- 下一篇：胶带贴附装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
