[发明专利]应变多层阻变存储元件

权利要求书

1.一种阻变存储元件，包括：

a.第一电极；

b.阻变元件；

c.第二电极；

其中所述阻变元件被布置在所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述阻变元件包括多个相邻金属氧化物层，并且

所述阻变元件的相邻金属氧化物层包括不同的金属氧化物，

其特征在于所述阻变元件的相邻金属氧化物层具有1％至4％的晶格失配。

2.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变元件包括多个金属氧化物层，所述多个金属氧化物层包括总共至少3个金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变元件包括多个金属氧化物层，所述多个金属氧化物层包括总共至少4个金属氧化物层。

4.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述多个金属氧化物层包括周期性重复的金属氧化物多层结构。

5.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述多个金属氧化物层由周期性重复的金属氧化物多层结构组成。

6.根据权利要求4或5所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物多层结构周期性重复2至400次。

7.根据权利要求4或5所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物多层结构周期性重复5至50次。

8.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物层被取向成平行于由所述第一电极或所述第二电极限定的平面，或者被取向成垂直于由所述第一电极或所述第二电极限定的平面。

9.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物层包括具有钙钛矿型结构的金属氧化物。

10.根据权利要求9所述的阻变存储元件，其中所述钙钛矿型结构的金属氧化物选自SrFeO₃、SrTiO₃或LaMnO₃、(La_x，Sr_1-x)(Co_y，Fe_1-y)O₃、(La_x，Sr_1-x)(Mn_y，Fe_1-y)O₃。

11.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物层包括二元金属氧化物。

12.根据权利要求11所述的阻变存储元件，其中所述二元金属氧化物选自氧化钇稳定的氧化锆、氧化钇稳定的氧化铪、二氧化钛、钆掺杂的氧化铈、氧化锆。

13.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述金属氧化物层包括稀土金属氧化物。

14.根据权利要求13所述的阻变存储元件，其中所述稀土金属氧化物选自氧化钇、氧化铈或氧化铒。

15.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变元件的厚度为1nm至1500nm。

16.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变元件的所述金属氧化物层各自的厚度为至少1个金属氧化物的晶胞并且不超过500nm。

17.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变存储元件为层状结构，所述层状结构包括由所述第一电极形成的第一层；由所述阻变元件形成的第二层；以及由所述第二电极形成的第三层。

18.根据权利要求1所述的阻变存储元件，其中所述阻变元件的所述金属氧化物层包括带隙为0.3eV至8.8eV的金属氧化物。

19.一种数据存储装置，包括电互连的、根据前述权利要求中任一项所述的阻变存储元件的二维或三维阵列。