[发明专利]沉积金属合金膜的方法

权利要求书

1.一种沉积合金膜的方法，所述方法包含下列步骤：

将基板安置在处理腔室内；

将所述基板的至少一部分暴露于金属卤化物前驱物，以于所述基板上提供第一金属；

从所述处理腔室清除未反应的金属卤化物前驱物；以及

将所述基板表面的所述部分暴露于有机金属还原剂，所述有机金属还原剂包含第二金属，所述第二金属不同于所述第一金属，以于所述基板上沉积所述第二金属，产生所述第一金属和所述第二金属的合金。

2.一种沉积合金膜的方法，所述方法包含下列步骤：

将基板安置在处理腔室内；以及

使金属卤化物前驱物和有机金属还原剂同时流入所述处理腔室以沉积合金膜，所述金属卤化物前驱物提供第一金属，所述有机金属还原剂包含第二金属，所述第二金属不同于所述第一金属，所述合金膜包含所述第一金属和所述第二金属。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述金属卤化物包含四氯化钛。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述有机金属还原剂包含所述第二金属的烷。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第二金属包含选自由Ge、In、Sn、Sb、Tl、Pb、Bi、Zn、Al、Ga及前述物质的混合物所组成的群组的金属。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二金属的所述烷包含二甲基-金属氢化物、二乙基氢化-金属、甲基二氢-金属及化学式为[(C_xH_y)_z-aMH_a]_n的烷基金属氢化物中的一或多种，其中x的值为1至3，y的值为2x+2，z的值为2至5，a的值为1至2，且n的值为1至4。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述第二金属的所述烷包含胺。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述有机金属还原剂包含四乙基锡、三甲基铟及二乙基锌中的一或多种。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板对所述金属卤化物的暴露与所述基板对所述有机金属还原剂的暴露至少部分重叠。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：清除所述有机金属还原剂。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述基板依序暴露于金属卤化物及所述有机金属还原剂。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述基板在暴露于所述有机金属还原剂之前暴露于所述金属卤化物。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述基板在暴露于所述金属卤化物之前暴露于所述有机金属还原剂。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包含下列步骤：将所述合金膜浸入合金剂，其中所述合金剂包含SiH₄、GeH₄、三甲基镓及B₂H₆中的一或多种。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中所述合金膜含有少于20％的碳。