[发明专利]无溶剂的量子点交换方法

权利要求书

1.用第二配体替代量子点上的第一配体的方法，该方法包括：

混合反应混合物，所述反应混合物包括具有非共价键合到量子点上的第一配体的多个量子点和含第二配体的硅氧烷聚合物，其中第一配体选自胺、羧酸、硫醇、膦和氧化膦基团，第二配体选自胺、羧酸和硫醇，由此第二配体替代第一配体并且不用溶剂而非共价键合到量子点上，且其中硅氧烷聚合物的T_g小于约100℃，且粘度小于约1000cSt，从而用第二配体替代量子点上的第一配体。

2.权利要求1的方法，其中第一配体包括伯胺。

3.权利要求1的方法，其中量子点选自第II-VI族，第III-V族，第IV-VI族，和第IV族半导体。

4.权利要求1的方法，其中量子点选自Si，Ge，Sn，Se，Te，B，C，P，BN，BP，BAs，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，InN，InP，InAs，InSb，AlN，AlP，AlAs，AlSb，GaN，GaP，GaAs，GaSb，ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，CdS，CdSe，CdSeZn，CdTe，HgS，HgSe，HgTe，BeS，BeSe，BeTe，MgS，MgSe，GeS，GeSe，GeTe，SnS，SnSe，SnTe，PbO，PbS，PbSe，PbTe，CuF，CuCl，CuBr，CuI，Si₃N₄，Ge₃N₄，Al₂O₃，Al₂，Ga₂，In₂，S₃，Se₃，Te₃，和Al₂CO₃。

5.权利要求1的方法，其中量子点选自CdSe，CdTe和InP。

6.权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物的T_g小于50℃。

7.权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物的T_g小于25℃。

8.权利要求1的方法，其中硅氧烷聚合物包括胺或羧基键合基团作为第二配体。

9.权利要求1的方法，其中加热该反应混合物到至少50℃。

10.权利要求1的方法，其中加热该反应混合物到至少75℃。

11.权利要求1的方法，其中进行混合至少30分钟。

12.权利要求1的方法，其中进行混合至少1小时。

13.权利要求1的方法，其中进行混合2小时。

14.权利要求1的方法，其中包含第二配体的硅氧烷聚合物具有下式结构：

其中R¹，R³，R⁴和R⁵各自独立地为C_1-8烷基、环烷基或芳基；每一R²独立地为C_1-8杂烷基、C_2-8烷基胺和C_2-8羧烷基；下标m是整数1-500；且下标n是整数0-500。