[发明专利]三维多电极阵列

权利要求书

1.一种多电极阵列，所述阵列包括：

基板；以及

放置在基板上的多个电极，

其中所述多个电极中的每个电极都具有导电的尖端和绝缘的剩余部分；

其中所述多个电极中的第一电极具有选为使第一电极的导电尖端接近第一目标结构的第一配置；以及

其中所述多个电极中的第二电极具有选为使第二电极的导电尖端接近第二目标结构的第二配置，第一配置具有第一电极的导电尖端的第一轮廓，并且第二配置具有第二电极的导电尖端的第二轮廓，第一轮廓和第二轮廓在形状上是不同的。

2.如权利要求1所述的多电极阵列，其中，第一轮廓包括比第一电极的基底宽的区域。

3.如权利要求1所述的多电极阵列，还包括放置在基板上的与所述多个电极相对的多个触点。

4.如权利要求3所述的多电极阵列，其中，所述多个触点中的第一触点通过基板电耦合到第一电极，并且其中，所述多个触点中的第二触点通过基板电耦合到第二电极。

5.如权利要求1所述的多电极阵列，其中，第一配置和第二配置附加地在以下中至少之一不同：电极高度和电极宽度。

6.如权利要求1所述的多电极阵列，其中，所述多个电极中的每个电极的导电尖端都包括生物相容性材料。

7.如权利要求1所述的多电极阵列，其中，所述多个电极中的相邻电极之间的间距小于或等于100微米。

8.如权利要求1所述的多电极阵列，其中，第一电极还包括放置成远离第一电极的导电尖端并且物理上与第一电极的导电尖端分离的导电区域，其中所述导电区域被电耦合到导电尖端。

9.一种电接口设备，包括：

具有前表面和与前表面相对的后表面的基板；

从后表面延伸穿过基板并且直到高于前表面的高度的第一电极，其中第一电极整个导电；以及

从后表面延伸穿过基板并且直到高于前表面的高度的第二电极，其中第二电极整个导电，

其中第一电极、第二电极和基板由相同材料形成，

其中第一电极的延伸穿过基板的一部分通过形成在基板中的隔离特征件与基板分离，以及

其中第一电极具有第一尖端轮廓，并且第二电极具有与第一尖端轮廓不同的第二尖端轮廓。

10.如权利要求9所述的电接口设备，其中，第一配置被预定为将第一电极电耦合到第一生物区域，并且其中第二配置被预定为将第二电极电耦合到第二生物区域。

11.如权利要求9所述的电接口设备，其中，第一电极是与第二电极电隔离的。

12.如权利要求9所述的电接口设备，还包括在第一电极的尖端上形成的导电接口层和在第一电极的主体区域上形成的放置在尖端与基板之间的绝缘层，以及其中形成在主体区域上的绝缘层包括限定二级导电区域的腔体。

13.如权利要求9所述的电接口设备，其中，第一配置和第二配置在以下中至少之一不同：在所述前表面之上延伸的电极高度、电极宽度、电极的导电部分的物理尺寸和电极轮廓。

14.如权利要求9所述的电接口设备，其中，所述多个电极中的相邻电极之间的间距小于或等于100微米。

15.如权利要求9所述的电接口设备，其中，第一电极还包括放置成远离第一电极的导电尖端并且物理上与第一电极的导电尖端分离的导电区域，其中所述导电区域被电耦合到第一电极。

16.一种制造电极阵列的方法，所述方法包括：

接纳具有正面和背面的基板；

在基板的背面上形成隔离特征件；以及

在基板的正面上执行抗蚀剂转印工艺，所述抗蚀剂转印工艺能够操作为在基板的正面上形成多个电极，

其中所述抗蚀剂转印工艺还能够操作为形成所述多个电极中具有第一配置的第一电极和所述多个电极中具有第二配置的第二电极，第一配置具有第一尖端轮廓，第二配置具有第二尖端轮廓，

其中第一尖端轮廓和第二尖端轮廓不同，以及

其中第一配置和第二配置基于包含目标的载体介质选择。

17.如权利要求16所述的方法，其中，所述隔离特征件将第一电极与第二电极电隔离。