[发明专利]用于制备八氯三硅烷的方法和装置

权利要求书

1.通过对包含至少一种通式I的单体氯代硅烷的氯代硅烷施以热等离子体来制备八氯三硅烷的方法

H_xSiCl_4-x (I)

其中x彼此独立地选自0、1、2或3。

2.根据权利要求1的方法，

其特征在于

作为混合物获得八氯三硅烷和六氯二硅烷。

3.根据权利要求1或2的方法，

其特征在于

分离出超高纯八氯三硅烷。

4.根据权利要求1或2的方法，

其特征在于

获得具有小于1重量ppm的钛含量的八氯三硅烷。

5.根据权利要求1或2的方法，

其特征在于

所用反应物是超高纯四氯硅烷、超高纯三氯硅烷和/或超高纯二氯硅烷。

6.根据权利要求1或2的方法，

其特征在于

其在包含具有两个塔(2a、2b)的气体放电反应器(1)的装置(0)中进行。

7.根据权利要求6的方法，

其特征在于

- 提供在气体放电反应器(1)上游的用于除去八氯三硅烷的具有上方塔入口(3a)的第一个塔(2a)和在气体放电反应器(1)下游的用于除去低沸物的具有下方塔入口(4a)的第二个塔(2b)，和

- 第二个塔(2b)的上方塔出口(4b)具有气体分配器(5)，且

- 气体分配器(5)具有再循环线路(6)，其将低沸物作为回流供往第一个塔(2a)或气体放电反应器(1)。

8.根据权利要求7的方法，

其特征在于

气体分配器(5)具有截流或调节单元。

9.根据权利要求8的方法，

其特征在于

所述截流或调节单元是阀。

10.根据权利要求8或9的方法，

其特征在于

所述截流或调节单元是电磁阀。

11.根据权利要求6的方法，

其特征在于

将式I的氯代硅烷或与六氯二硅烷混合的式I的氯代硅烷引入气体放电反应器(1)或供入第一个塔(2a)。

12.根据权利要求6的方法，

其特征在于

(i) 经第二个塔(2b)离开气体放电反应器的与六氯二硅烷混合的式I的氯代硅烷在装置(0)中在气体分配器(5)处分配，和一部分混合物作为回流(ii) 经再循环线路(6)再循环到第一个塔(2a)和(iii) 再经过气体放电反应器(1)，和(iv) 在第一个塔(2a)的下方塔出口(3b)获得高纯或超高纯八氯三硅烷。

13.根据权利要求6的方法，

其特征在于

所述回流中三氯硅烷与四氯硅烷的摩尔比为0.1:20至2:20。

14.根据权利要求6的方法，

其特征在于

在气体放电反应器(1)中存在300至800 mbar_abs.的压力。

15.用于进行根据权利要求1至14任一项的方法的装置(0)，其特征在于其包含具有两个塔(2a、2b)的气体放电反应器(1)，其中在气体放电反应器(1)上游提供用于除去八氯三硅烷的具有上方塔入口(3a)的第一个塔(2a)并在气体放电反应器(1)下游提供用于除去低沸物的具有下方塔入口(4a)的第二个塔(2b)。

16.通过根据权利要求1至14任一项的方法获得的八氯三硅烷，其特征在于

其具有90.0至99.999999重量%的八氯三硅烷含量，用六氯二硅烷、正十氯四硅烷、异十氯四硅烷、叔十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷和任选它们的结构异构体加至100重量%，并具有小于或等于1重量ppm的钛含量。