[发明专利]有机半导体薄膜的制造方法有效
申请号: | 201480023139.6 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN105144417B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 竹谷纯一;添田淳史 | 申请(专利权)人: | PI-克瑞斯托株式会社 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;B05C5/02;B05C11/04;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/05 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机半导体 薄膜 制造 方法 | ||
1.一种有机半导体薄膜的制造方法,将有机半导体材料溶解在溶媒中的原料溶液向基板上供给,通过使上述溶媒蒸发而使上述有机半导体材料的晶体析出,在上述基板上形成有机半导体薄膜,其特征在于,
使用在一侧面上设有接触面的端面成形部件;
以上述接触面相对于上述基板的表面以一定的角度交叉的方式,使上述端面成形部件相对于上述基板对置而配置,将上述原料溶液向上述基板上供给,并且,在上述原料溶液与上述基板接触的状态下,使上述原料溶液与上述接触面相接触形成上述原料溶液的液滴;
在与上述基板的表面平行的方向即上述端面成形部件从上述液滴远离的朝向上,使上述基板和上述端面成形部件相对移动,并且一边供给上述原料溶液,一边使上述液滴中的上述溶媒蒸发而在上述接触面移动后的上述基板上基于上述原料溶液的供给连续地析出上述有机半导体材料的晶体,
在析出上述晶体的工序中,通过将供给上述原料溶液的速度以及上述相对移动的速度与上述溶媒的蒸发速度相匹配进行调整,介由向上述接触面的附着,将上述液滴的大小维持在能够起到规定上述晶体相对上述液滴的成长方向的作用的规定范围内。
2.如权利要求1所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
将上述液滴形成为随着从上述接触面远离而距基板面的厚度逐渐减小的形状。
3.如权利要求1或2所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
形成上述原料溶液的液滴的上述基板的表面与上述原料溶液的接触角为30°以下。
4.如权利要求1或2所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
使上述端面成形部件在与上述基板之间设置一定的间隙而对置,从在上述接触面的相反侧相邻于上述间隙而配置的一个或多个原料溶液供给口经由上述间隙供给上述原料溶液。
5.如权利要求4所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
配置多个上述原料溶液供给口,通过从各个上述原料溶液供给口供给相互不同种类的上述原料溶液,在同一上述基板上同时形成不同种类的有机半导体薄膜。
6.如权利要求1或2所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
经由设在上述端面成形部件的内部的一个或多个内腔,向上述接触面一侧供给上述原料溶液。
7.如权利要求1或2所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
使上述端面成形部件在与上述基板之间设置一定的间隙而对置,经由设在上述端面成形部件的内部的一个或多个内腔,向上述端面形成部件的正下方供给上述原料溶液。
8.如权利要求7所述的有机半导体薄膜的制造方法,其特征在于,
设有多个上述端面成形部件的内腔,通过经由各个上述内腔供给相互不同种类的上述原料溶液,在同一上述基板上同时形成不同种类的有机半导体薄膜。
9.一种有机半导体装置,具备基板和形成在其表面上的有机半导体薄膜,其特征在于,
上述有机半导体薄膜通过权利要求1-8中任一项所述的制造方法制作,具有一边的大小为1cm以上的矩形的平面形状,是厚度为100nm以下的单晶薄膜。
10.如权利要求9所述的有机半导体装置,其特征在于,
上述有机半导体薄膜的各个晶体轴的方向互相成为的角度分布处于8°的范围内。
11.如权利要求9或10所述的有机半导体装置,其特征在于,
上述基板的形成有上述有机半导体薄膜的表面与上述原料溶液的接触角为30°以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择