[发明专利]用于发光器件的侧面互连

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

包括部署在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构，半导体结构具有第一侧和第二侧，其中第二侧与第一侧相对；

连接到n型区的金属n接触件和与p型区直接接触的金属p接触件，其中n接触件和p接触件二者形成在半导体结构的第一侧上，其中从半导体结构提取的大部分光是从半导体结构的第二侧提取的；以及

与n接触件和p接触件中的一个直接接触的互连，其中互连部署成邻近于半导体结构。

2.权利要求1的发光器件，还包括叠覆互连和半导体结构的生长衬底。

3.权利要求2的发光器件，其中没有半导体材料部署在互连与生长衬底之间。

4.权利要求2的发光器件，其中互连为第一互连，器件还包括电气连接到n接触件和p接触件中的另一个的第二互连，其中半导体结构部署在第二互连与生长衬底之间。

5.权利要求4的发光器件，其中第一互连电气连接到p接触件并且第二互连电气连接到n接触件。

6.权利要求2的发光器件，其中互连为第一互连，器件还包括电气连接到n接触件和p接触件中的另一个的第二互连，其中第二互连部署成邻近于半导体结构。

7.权利要求2的发光器件，其中p接触件部署在互连与生长衬底之间。

8.权利要求2的发光器件，其中生长衬底是导电的，并且金属n接触件部署在生长衬底和互连之间，并且金属n接触件与生长衬底直接接触。

9.权利要求1的发光器件，其中p接触件部署在半导体结构的侧壁之上和互连之上。

10.权利要求9的发光器件，其中p接触件部署在分布式布拉格反射镜与互连之间。

11.一种半导体发光器件，包括：

包括部署在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构，半导体结构具有第一侧和第二侧，其中第二侧与第一侧相对；

与n型区直接接触的金属n接触件和与p型区直接接触的金属p接触件，其中n接触件和p接触件二者形成在半导体结构的第一侧上，其中从半导体结构提取的大部分光是从半导体结构的第二侧提取的；以及

电气连接到n接触件和p接触件中的一个的第一互连，以及电气连接到n接触件和p接触件中的另一个的第二互连，其中半导体结构部署在第一互连上方，并且没有半导体结构部署在第二互连上方。

12.权利要求11的半导体发光器件，还包括部署在半导体结构和第二互连上方的生长衬底。

13.权利要求12的半导体发光器件，还包括部署在生长衬底上方的波长转换材料。

14.权利要求11的半导体发光器件，其中p接触件部署在半导体结构的侧壁之上和第二互连之上。

15.权利要求14的半导体发光器件，其中p接触件部署在分布式布拉格反射镜与第二互连之间。