[发明专利]具有不同光电二极管结构的光电检测器阵列

权利要求书

1.一种制造光电二极管阵列的方法，其包括：

提供半导体衬底，其包括第一二极管区和第二二极管区，所述第一二极管区和第二二极管区具有以第一掺杂类型掺杂的底部衬底部分、在所述衬底部分上的本征层、和在所述本征层上以第二掺杂类型掺杂的顶部硅包含层，所述底部衬底部分提供底部二极管层，以及顶部硅包含层提供顶部二极管层，

在所述第一二极管区上形成掩膜层；

以所述第二掺杂类型注入所述第二二极管区，同时所述掩膜层保护所述第一二极管区从而在所述第二二极管区的表面中提供第二表面杂质浓度，该第二表面杂质浓度至少是所述第一二极管区的表面中第一表面杂质浓度的三倍；

热氧化所述顶部硅包含层从而形成热氧化硅层以提供底部抗反射涂层即ARC层，其中所述第二二极管区生长的所述热氧化硅层相比所述第一二极管区上的所述热氧化硅层更厚，以及

沉积折射率高于所述底部ARC层上热氧化硅的顶部ARC层，

其中第一光电二极管即第一PD提供在所述第一二极管区中，且第二PD提供在所述第二二极管区中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述顶部ARC层包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二表面杂质浓度是所述第一表面杂质浓度的至少一个数量级的倍数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂类型是n型，而所述第二掺杂类型为p型。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掺杂类型为p型，而所述第二掺杂类型为n型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二二极管区中的所述热氧化硅层厚度为100到240埃，且所述第二二极管区中所述热氧化硅层厚度为20到95埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述热氧化包括蒸汽氧化。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以所述第二掺杂类型注入所述第二二极管区的表面。

9.一种光电检测器阵列，其包括：

半导体衬底，其包括第一二极管区和第二二极管区，所述第一二极管区和第二二极管区具有以第一掺杂类型掺杂的底部衬底部分、在所述底部衬底部分上的本征层、和在所述本征层上以第二掺杂类型掺杂的顶部硅包含层，所述底部衬底部分提供底部二极管层，以及所述顶部硅包含层提供顶部二极管层，

其中所述第二二极管区的表面中的第二表面杂质浓度至少是所述第一二极管区的表面中的第一表面杂质浓度的三倍；

热氧化硅层，其位于所述顶部硅包含层之上，其为所述第一二极管区和第二二极管区提供底部抗反射涂层即ARC层，其中所述第二二极管区具有的所述热氧化硅层相比所述第一二极管区上的热氧化硅层更厚，以及

顶部ARC层，其具有的折射率高于所述底部ARC层上的热氧化硅层的折射率，

其中第一PD提供在所述第一二极管区中，且第二PD提供在所述第二二极管区中。

10.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述顶部ARC层包括氮化硅。

11.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述第二表面杂质浓度是所述第一表面杂质浓度的至少一个数量级的倍数。

12.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述第一掺杂类型是n型，而所述第二掺杂类型为p型。

13.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述第一掺杂类型为p型，而所述第二掺杂类型为n型。

14.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述第二二极管区中的所述热氧化硅层厚度为100到240埃，且所述第二二极管区中的所述热氧化硅层厚度为20到95埃。

15.根据权利要求9所述的光电检测器阵列，其中所述第二二极管区的表面包括所述第二掺杂类型的注入表面区域。

16.根据权利要求10所述的光电检测器阵列，其中所述半导体衬底包括硅或硅锗。