[发明专利]薄膜状胶粘剂、切割胶带一体型薄膜状胶粘剂以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置用的薄膜状胶粘剂，其特征在于，含有热固性树脂、固化剂和导电性粒子，并且热固化后的玻璃化转变温度为130℃以上。

2.如权利要求1所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，热固化后的25℃下的电阻率为1×10^-2Ω·m以下。

3.如权利要求1或2所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，含有热塑性树脂，并且

将所述热塑性树脂的重量设为A、将所述热固性树脂与所述固化剂的合计重量设为B时，重量比率(A)/(B)在1/9～4/6的范围内。

4.如权利要求1～3中任一项所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，所述导电性粒子的含量相对于薄膜状胶粘剂整体为30～95重量％。

5.如权利要求1～4中任一项所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，热固化后的175℃下的拉伸储能弹性模量为50～1500MPa。

6.如权利要求1～5中任一项所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，在150℃、0.5秒、0.5MPa条件下保持后的150℃下的与铜的剪切胶粘力在5～200g/25mm²的范围内。

7.如权利要求1～6中任一项所述的薄膜状胶粘剂，其特征在于，厚度在5～100μm的范围内。

8.一种切割胶带一体型薄膜状胶粘剂，其特征在于，具有在基材上层叠有粘合剂层的切割胶带和权利要求1～7中任一项所述的薄膜状胶粘剂，并且所述薄膜状胶粘剂形成在所述粘合剂层上。

9.如权利要求8所述的切割胶带一体型薄膜状胶粘剂，其特征在于，所述薄膜状胶粘剂与所述切割胶带的剥离力在剥离速度300mm/分钟、剥离温度25℃、T形剥离的条件下在0.01～3.00N/20mm的范围内。

10.一种半导体装置的制造方法，其为使用权利要求8或9所述的切割胶带一体型薄膜状胶粘剂的半导体装置制造方法，其特征在于，包括以下工序：

将半导体晶片粘贴到所述切割胶带一体型薄膜状胶粘剂的所述薄膜状胶粘剂的工序A；

将所述半导体晶片与所述薄膜状胶粘剂一起切割的工序B；

拾取通过切割而得到的带有薄膜状胶粘剂的半导体元件的工序C；

使所述带有薄膜状胶粘剂的半导体元件与被粘物接触，然后在50～150℃的范围内、在0.01～2秒、0.05～40MPa的范围内保持所述薄膜状胶粘剂的工序D；和

在所述工序D后，使所述薄膜状胶粘剂热固化的工序E。