[发明专利]具有耗尽层的玻璃和构造于其上的多晶硅TFT

权利要求书

1.一种对玻璃基板的表面层进行化学处理的方法，所述方法包括：

使所述玻璃基板的至少一个表面在一种温度下与包含HCl的热溶液接触一段时间，所述温度和时间足以从所述玻璃基板的所述至少一个表面下方的表面层中浸出至少一种元素以形成化经过学处理的玻璃基板，且所述表面层的深度在1-200nm的范围内；

在浸出所述至少一种元素之前，用稀氢氟酸(HF)水溶液处理所述玻璃基板的至少一个表面；以及

其中所述至少一个表面的表面粗糙度在所述接触步骤之前和之后基本上相同，

所述玻璃基板包含碱土金属硼铝硅酸盐玻璃，且

所述至少一种元素是碱土金属、硼、铝或金属污染物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经过化学处理的玻璃基板具有4-15％的氧化硅富集度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经过化学处理的玻璃基板的Si:Al比在所述接触之前至少升高20％。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HCl溶液的浓度在0.1-2.0摩尔/升的范围内。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述HCl溶液用选自H₂O或H₂O₂的稀释剂稀释。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，HCl与稀释剂的比值在1:5至1:10的范围内。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述HCl溶液的温度在40-80℃的范围内。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触的时间在1-30分钟的范围内。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述玻璃基板在所述接触步骤之前经过洗涤和清洁。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触步骤包含静止浸泡或搅动浸泡。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接触步骤包括水平或垂直喷雾过程。

12.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括至少一个浸出后洗涤步骤，所述浸出后洗涤步骤包括使经过化学处理的玻璃基板在超声波处理条件下接触热去离子水。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述去离子水加热至40-80℃的温度。

14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，超声波处理在70-1000kHz的频率下发生5-20分钟。

15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，经过浸出和清洁的玻璃用旋转-清洗-干燥法(“SRD”)、异丙醇(“IPA”)干燥法或其组合进行干燥。

16.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括通过以下步骤形成TFT：

在经过化学处理的玻璃基板表面上直接沉积半导体层，所述半导体层包含选自下组的材料：Si、金属氧化物、第III-V族元素、第II-VI族元素、有机化合物及其组合；

对所述Si层进行退火，形成多晶硅；

在所述多晶硅上沉积电极，并对所述电极进行图案化，形成沟道区；

在所述沟道区和所述电极上沉积SiO₂层；

在所述SiO₂层上沉积Al栅，并对所述栅进行图案化；

蚀刻穿过SiO₂层并位于电极上方的通孔；以及

对TFT进行退火。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一种元素是碱土金属。