[发明专利]利用微波能量固化热塑性塑料的方法

权利要求书

1.一种用于使热塑性膜致密化的方法，所述方法包括：

将所述热塑性塑料以可溶态(solubleform)沉积到所选基板上；

软烘(softbaking)所述膜以去除残余溶剂；以及

在不高于所述热塑性塑料的玻璃转变温度T_g以下100℃的温度，通过VFM将所述膜固化20至120分钟。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热塑性塑料包含具有双官能聚酰胺酸段和双官能胺段的聚酰亚胺，并且所述聚酰亚胺具有在300℃至400℃的范围内的T_g。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺包含BPDA-PPD并且所述VFM固化在约175℃至225℃的温度进行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述VFM固化包括在至少±5％的所选中心频率的带宽上以扫描的方式施加微波功率。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板包括半导体晶片，所述半导体晶片上具有集成电路。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热塑性塑料包含从以下各项组成的群组中选择的聚合物：聚酰亚胺、聚烯烃、聚乙烯、聚碳酸酯和丙烯腈。

7.如权利要求6所述的方法，其进一步包括以下步骤：减少所述热塑性塑料的多分散性指数(PDI)。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述PDI是通过从以下各项组成的群组中选择的方法来降低：使用包括体积排阻色谱法的分离技术；以及通过限制在用于所述热塑性塑料的初始材料成型过程中所述热塑性塑料封端反应的初始形成。

9.一种制造微电子器件的方法，所述方法包括：

制备半导体晶片，在所述半导体晶片上带有集成电路；

将热塑性膜以可溶态沉积在所述半导体晶片上；

软烘所述膜以去除残余溶剂；以及

在不超过所述热塑性塑料的玻璃转变温度T_g以下100℃的温度，通过VFM将所述膜固化20至120分钟。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述热塑性塑料包含具有双官能聚酰胺酸段和双官能胺段的聚酰亚胺，并且所述聚酰亚胺具有在300℃至400℃的范围内的T_g。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺包含BPDA-PPD并且所述VFM固化是在约175℃至225℃的温度进行。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述VFM固化包括在至少±5％的所选中心频率的带宽上以扫描的方式施加微波功率。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述集成电路包括宽度在100nm至10nm的范围内的功能电路特征，并且所述热塑性塑料具有在300℃至400℃的范围内的T_g。

14.一种电子器件，所述电子器件包括：

半导体，在所述半导体上具有功能集成电路；以及

在所述半导体上的基本致密热塑涂层，所述涂层具有在300℃至400℃的范围内的T_g。

15.如权利要求14所述的器件，其中所述集成电路包括宽度在100nm至10nm的范围内的功能电路特征。

16.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述热塑性塑料包含从以下各项组成的群组中选择的聚合物：聚酰亚胺、聚烯烃、聚乙烯、聚碳酸酯和丙烯腈。

17.如权利要求16所述的器件，其特征在于，所述热塑性塑料包含具有双官能聚酰胺酸段和双官能胺段的聚酰亚胺。

18.如权利要求17所述的器件，其特征在于，所述聚酰亚胺包含BPDA-PPD。