[发明专利]直接传送推进存储器以及使用其的计算机系统有效

专利信息
申请号: 201480024397.6 申请日: 2014-06-12
公开(公告)号: CN105190765B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 中村维男;迈克尔·J·弗林 申请(专利权)人: 中村维男;迈克尔·J·弗林
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 直接 传送 推进 存储器 以及 使用 计算机系统
【权利要求书】:

1.一种包括存储器单元的阵列的直接传送推进存储器,各个所述存储器单元具有比特级信元的序列以存储字节大小或字大小的信息,比特级信元的各个序列构成所述阵列的各个列,所述字节大小或字大小的信息同步地沿着与所述比特级信元的序列的方向正交的多个数据传送线逐步传送,各个所述比特级信元包括被配置为累积信元电子的电子存储区域,

其中,对象存储器单元中的所述电子存储区域中的一个电子存储区域中累积的所述信元电子沿着所述多个数据传送线被直接传送至沿着所述多个数据传送线与所述对象存储器单元相邻的下一存储器单元中指派的相邻电子存储区域,所述信元电子的所述传送由控制信号来直接控制,而不使用逻辑门电路的组合功能。

2.根据权利要求1所述的直接传送推进存储器,其中,所述信元电子的所述传送是通过所述信元电子沿着所述多个数据传送线在所述一个电子存储区域与所述相邻电子存储区域之间设置的绝缘体处的量子隧穿来建立的。

3.根据权利要求2所述的直接传送推进存储器,其中,各个所述比特级信元包括:

基板;

基板绝缘体,该基板绝缘体层叠在所述基板上;

浮动栅极,该浮动栅极充当所述电子存储区域,并且层叠在所述基板绝缘体上;

电极间介电体,该电极间介电体层叠在所述浮动栅极上;以及

控制栅极,该控制栅极层叠在所述电极间介电体上,并且被施加时钟信号中的一个,

其中,所述存储器单元的阵列当中的对象存储器单元中的所述浮动栅极中的一个浮动栅极中累积的所述信元电子被直接传送至与所述对象存储器单元相邻的下一存储器单元中指派的相邻浮动栅极,所述信元电子的所述传送是通过所述信元电子在所述一个浮动栅极与所述相邻浮动栅极之间设置的所述绝缘体处的量子隧穿来建立的,所述量子隧穿由施加到所述控制栅极的所述控制信号来控制。

4.根据权利要求3所述的直接传送推进存储器,其中,所述量子隧穿由分别施加到指派给三个相邻存储器单元中的每一个的三个相邻控制栅极的三相控制信号来控制,所述信元电子在指派给所述三个相邻存储器单元的所述浮动栅极中的一个浮动栅极中累积,指派给所述三个相邻存储器单元的三个相邻浮动栅极的集合沿着与所述三相控制信号同步地传送所述字节大小或字大小的信息的方向朝着输出端子列前进。

5.根据权利要求4所述的直接传送推进存储器,其中,在所述三个相邻浮动栅极的集合中,一个浮动栅极被指派为虚设信元,在所述三相控制信号的先前定时处从所述虚设信元提取所述信元电子。

6.根据权利要求5所述的直接传送推进存储器,其中,所述虚设信元被指派给第一浮动栅极,该第一浮动栅极在所述三个相邻浮动栅极的集合中排在第二浮动栅极的下一位,所述三个相邻浮动栅极的集合中的第三浮动栅极中累积的所述信元电子被传送至所述第二浮动栅极。

7.一种包括处理器和直接传送推进主存储器的计算机系统,所述直接传送推进主存储器被配置为主动地并且顺序地向所述处理器提供所存储的信息,使得所述处理器能够利用所存储的信息执行算术和逻辑运算,所述直接传送推进存储器包括存储器单元的阵列,各个所述存储器单元具有比特级信元的序列以存储字节大小或字大小的信息,所述字节大小或字大小的信息同步地沿着与所述比特级信元的序列的方向正交的多个数据传送线逐步传送,比特级信元的各个序列构成所述阵列的各个列,各个所述比特级信元包括被配置为累积信元电子的电子存储区域,

其中,对象存储器单元中的所述电子存储区域中的一个电子存储区域中累积的所述信元电子沿着所述多个数据传送线被直接传送至沿着所述多个数据传送线与所述对象存储器单元相邻的下一存储器单元中指派的相邻电子存储区域,所述信元电子的所述传送由控制信号来直接控制,而不使用逻辑门电路的组合功能。

8.根据权利要求7所述的计算机系统,其中,所述信元电子的所述传送是通过所述信元电子沿着所述多个数据传送线在所述一个电子存储区域与所述相邻电子存储区域之间设置的绝缘体处的量子隧穿来建立的。

9.根据权利要求8所述的计算机系统,其中,各个所述比特级信元包括:

基板;

基板绝缘体,该基板绝缘体层叠在所述基板上;

浮动栅极,该浮动栅极充当所述电子存储区域,并且层叠在所述基板绝缘体上;

电极间介电体,该电极间介电体层叠在所述浮动栅极上;以及

控制栅极,该控制栅极层叠在所述电极间介电体上,并且被施加时钟信号中的一个,

其中,所述存储器单元的阵列当中的对象存储器单元中的所述浮动栅极中的一个浮动栅极中累积的所述信元电子被直接传送至与所述对象存储器单元相邻的下一存储器单元中指派的相邻浮动栅极,所述信元电子的所述传送是通过所述信元电子在所述一个浮动栅极与所述相邻浮动栅极之间设置的所述绝缘体处的量子隧穿来建立的,所述量子隧穿由施加到所述控制栅极的所述控制信号来控制。

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