[发明专利]用于光伏电池或模块的背接触式基板有效
申请号: | 201480025022.1 | 申请日: | 2014-04-30 |
公开(公告)号: | CN105164813B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | M.乌里恩;J.帕尔姆;G.吕滕贝格;R.莱希纳;Y.邦圣科姆;L.J.辛格 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃厂 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/0392 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;张懿 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背接触式 光伏电池 电极 基板 合金薄膜 载体基板 | ||
1.一种用于光伏电池的背接触式基板(1),所述背接触式基板(1)包括玻璃载体基板(2)和电极(6),所述电极(6)包括基于下述的合金薄膜:
• 铜(Cu)和银(Ag)之中的至少一个;以及
• 锌(Zn),
其中,所述电极(6)此外包括在合金薄膜上或者在合金薄膜和对硒化的屏障薄膜之间形成的夹层薄膜,所述夹层薄膜基于钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铼(Re)、铌(Nb)或钽(Ta)中的至少一个,
其中所述合金薄膜具有在20nm和300nm之间的厚度。
2.根据权利要求1所述的背接触式基板(1),其中,所述合金薄膜基于铜(Cu)和锌(Zn)。
3.根据权利要求1或2所述的背接触式基板(1),其中,所述合金薄膜具有至少95%的铜(Cu)和/或银(Ag)以及锌(Zn)的所组合原子含量。
4.根据权利要求1或2所述的背接触式基板(1),其中,所述合金薄膜具有至少5%和至多20%、或者至少35%和至多55%、或者至少70%和至多90%的Zn原子含量。
5.根据权利要求4所述的背接触式基板(1),其中,所述合金薄膜在热退火之后主要处于α、β或ε结晶相。
6.根据权利要求1或2所述的背接触式基板(1),其中,所述合金薄膜具有至少80%和至多95%的铜(Cu)和/或银(Ag)以及锌(Zn)的所组合的原子含量,所述合金薄膜此外包含下述元素之中的至少一个:钛(Ti)、锡(Sn)、硅(Si)、锗(Ge)、锆(Zr)、铪(Hf)、碳(C)和铅(Pb),上述元素以至少1%和至多20%的原子含量存在于合金薄膜中。
7.根据权利要求1或2所述的背接触式基板(1),其中,所述电极(6)此外包括用于保护合金薄膜不受硒化的对硒化的屏障薄膜(10),所述对硒化的屏障薄膜基于Mo
8.根据权利要求1或2所述的背接触式基板(1),其中,所述电极(6)此外包括欧姆接触薄膜,所述欧姆接触薄膜至少基于金属M,所述金属M是钼(Mo)和/或钨(W)。
9.一种用于光伏电池的背接触式基板(1),所述背接触式基板(1)包括玻璃载体基板(2)和电极(6),所述电极(6)包括了包含相邻合金薄膜的导电涂层,所述合金薄膜中的至少一个基于铜(Cu)和银(Ag)之中的至少一个,并且所述合金薄膜中的至少一个基于锌(Zn),
其中,所述电极(6)此外包括在合金薄膜上或者在合金薄膜和对硒化的屏障薄膜之间形成的夹层薄膜,所述夹层薄膜基于钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铼(Re)、铌(Nb)或钽(Ta)中的至少一个,
其中所述合金薄膜具有在20nm和300nm之间的厚度。
10.一种光伏电池(20),其包括根据任何前述权利要求所述的背接触式基板(2)和至少光敏材料薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的