[发明专利]用于灯加热组件的扩散器在审
申请号: | 201480025323.4 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN105190850A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 加热 组件 扩散器 | ||
公开背景
技术领域
本公开内容的实施方式大致关于热处理基板,诸如半导体基板。
背景技术
快速热处理(RTP)腔室通常使用灯以提供热能给基板。灯设置在灯头中,且来自灯的能量被导向处理腔室中的基板或基板支撑件以提供热能给基板。由于如灯排列的几何形状、腔室或灯特征、或是各灯发射的场的几何形状,来自灯的辐射能以非均匀或不一致的方式重叠到基板或基板支撑件。此外,个别灯的辐射图案(pattern)是不一致的。例如,相较于辐射图案的外部部分,某些灯可传送更多的热能给对应辐射图案的的中央部分。非均匀辐射导致基板的非均匀加热,对基板的均匀性有不良影响。
因此,存在对于更均匀的基板辐射的需求。
发明内容
本公开内容的实施方式大致关于光学透明窗与包括所述光学透明窗的处理腔室。光学透明窗包括在所述光学透明窗上形成的光扩散结构。光扩散结构可包括具有凸出或凹入特征的扇形(scalloped)或凹陷(dimpled)表面,或磨砂(frosted)表面。光扩散结构通过减少由灯不均匀辐射产生的热点,促进基板加热更为均匀。
在一个实施方式中,处理腔室包括腔室主体、定位在腔室主体内并适于支撑在支撑平面中的基板的基板支撑件,以及设置在腔室主体内的辐射热源以将辐射热导向支撑平面。光学透明窗设置在基板支撑平面与辐射热源之间。光学透明窗包括一个或多个在所述光学透明窗上的光扩散结构。
在另一个实施方式中,处理腔室包括腔室主体、定位在腔室主体内并适于支撑在平面中的基板的基板支撑件,以及设置在基板支撑平面下的腔室主体内的辐射热源。光学透明窗设置在基板支撑平面与辐射热源之间。光学透明窗包括在所述光学透明窗上的一个或多个光扩散结构。
在另一个实施方式中,处理腔室包括腔室主体、定位在腔室主体中的基板支撑件,以及设置在腔室主体内的辐射热源以将辐射热导向基板支撑件。光学透明窗设置在基板支撑件与辐射热源之间。光学透明窗包括在所述光学透明窗上的一个或多个光扩散结构。
附图说明
通过参考实施方式(一些实施方式在附图中说明),可获得在上文中简要总结的本发明的更具体的说明,而能详细了解上述的本发明的特征。然而应注意,附图仅说明本发明的典型实施方式,因而不应将这些附图视为限制本发明的范围,因为本发明可容许其它等效实施方式。
图1根据本公开内容的一个实施方式,表示处理腔室的截面视图。
图2A-2C根据本公开内容的实施方式,表示光扩散结构。
图3根据本公开内容的另一个实施方式,表示具有光扩散结构的窗的放大的部分视图。
为了助于理解,已尽可能使用相同的元件符号指定各图共有的相同元件。应考虑一个实施方式的元件与特征可有利地并入其它实施方式而无需进一步说明。
具体实施方式
本公开内容的实施方式大致关于光学透明窗以及包括所述光学透明窗的处理腔室。光学透明窗包括在所述光学透明窗上形成的光扩散结构。光扩散结构可包括具有凸出或凹入特征的扇形或凹陷表面,或磨砂表面。光扩散结构通过减少由灯不均匀辐射产生的热点,促进基板加热更为均匀。
根据本公开内容的一个实施方式,图1表示处理腔室100的截面视图。处理腔室100可以是RTP腔室并包括基板支撑件104、具有壁108的腔室主体102、底部110,以及限定内部空间120的顶部112。壁108可包括至少一个基板进出口148以便于基板140的进出(其中的一部分示于图1中)。进出口可与传送腔室(未图示出)或装载锁定腔室(未图示出)耦接并可选择性用阀密封,诸如狭缝阀(未图示出)。在一个实施方式中,基板支撑件104是环形的且腔室100包括设置在基板支撑件104内直径中的辐射热源106。辐射热源106可以是例如灯头并可包括多个灯。在本公开内容的一个实施方式中,腔室100包括板115,结合气体分配出口将气体平均分配到基板上以允许快速且受控的基板加热与冷却。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造