[发明专利]静电放电二极管

权利要求书

1.一种制造器件的方法，所述方法包括：

使所述器件的基板的背侧变薄以暴露在所述基板中形成的第一通孔的一部分和第二通孔的一部分；

在所述基板的背侧形成第一二极管，其中所述第一二极管耦合至所述第一通孔；

形成所述器件的层，所述层与所述基板分开；以及

形成包括半导体材料的第二二极管，所述第二二极管形成在所述第二通孔上，所述层位于所述第二二极管与所述基板的所述背侧之间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述层中选择性地图案化开口，所述层包括所述基板的所述背侧上沉积的隔离层，其中所述开口接触所述基板；以及

在所述开口中沉积重分布层，其中所述第一二极管是基于所述重分布层在所述开口中接触所述基板来形成的，并且其中所述重分布层将所述第一二极管耦合至所述第一通孔。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二二极管耦合至所述第二通孔，并且其中所述半导体材料包括n型半导体材料。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述第二通孔上沉积所述n型半导体材料；以及

在所述n型半导体材料上沉积重分布层，其中所述第二二极管是基于所述重分布层接触所述n型半导体材料来形成的。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管具有相反的极性。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一二极管是肖特基势垒二极管。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一二极管被配置成响应于静电放电事件而将电流提供到所述基板中。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述变薄和所述形成是由集成到电子设备中的处理器来执行的。

9.一种器件，包括：

基板；

从所述基板的背侧延伸的第一通孔；

在所述基板的背侧的第一二极管，其中所述第一二极管耦合至所述第一通孔并被配置成响应于静电放电事件而将电流提供到所述基板中；

与所述基板分开的层；

从所述基板的所述背侧延伸的第二通孔；以及

包括半导体材料的第二二极管，所述第二二极管形成在所述第二通孔上，所述层位于所述第二二极管与所述基板的所述背侧之间。

10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一二极管是经由重分布层在所述层的开口中接触所述基板来形成的，所述层包括沉积在所述基板上的隔离层。

11.如权利要求10所述的器件，其特征在于，所述隔离层包括二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氮氧化硅(SiOxNy)、五氧化二钽(Ta₂O₅)、氧化铝(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、或聚合物绝缘体中的至少一者。

12.如权利要求10所述的器件，其特征在于，所述重分布层包括铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)或钨(W)中的至少一者。

13.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第二二极管耦合至所述第二通孔并被配置成响应于另一静电放电事件而将具有正极性的电流提供到所述基板中，并且其中所述半导体材料包括n型半导体材料。

14.如权利要求13所述的器件，其特征在于，所述第二二极管是经由重分布层接触耦合至所述第二通孔的所述n型半导体材料来形成的。

15.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述n型半导体材料是氧化铟(In₂O₃)或氧化铟锡(ITO)之一。

16.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔是金属填充型通孔。

17.如权利要求16所述的器件，其特征在于，所述金属包括铜(Cu)、钨(W)、银(Ag)或金(Au)中的至少一者。

18.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述基板包括p型可植入基板。