[发明专利]离子注入组合物、系统和方法

权利要求书

1.一种注入硒的方法，所述硒来自作为掺杂物的包含硒的原料气体，所述方法包括使原料气体与抵制离子源故障模式的并流气体一起流至注入机，所述离子源故障模式为以下至少一种：(i)阴极的溅射，(ii)固体在绝缘表面上的沉积，(iii)固体积聚，引起不同电位的两个组件之间的短路，以及(iv)阴极上的固体积聚，其中掺杂物以其一种或多种同位素同位素富集至天然丰度以上，且其中所述并流气体包括至少一种选自以下的气体物质：H₂；PH₃；AsH₃；CH₄；GeH₄；SiH₄；H₂Se；NH₃；N₂；O₂；O₃；H₂O₂；H₂O；Cl₂；HCl；CH₂O；CO；CO₂；惰性气体；以及含氟气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体包括Ar、Ne、Kr、Xe和He。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体包括式X_yF_z的化合物，其中X为与F呈化学剂量比的任意元素，y≥1且z≥1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体包括式C_xF_yH_z的气态化合物，其中x≥0，y>0且z≥0。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氟气体包括F₂、XeF₂、BF₃、SF₆、GeF₄、SiF₄、SeF₄、SeF₆、NF₃、N₂F₄、HF、WF₆、MoF₆、COF₂、C₂F₄H₂、PF₃、PF₅、CF₄、CF₃H、CF₂H₂、CFH₃和B₂F₄。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中原料气体包含所述掺杂物的氢化物。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述原料气体与并流气体混合流至注入机。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述原料气体和所述并流气体在分开的气流管路中流入注入机。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中并流气体抵制阴极的溅射。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中并流气体包含选自F₂、XeF₂和NF₃的含氟气体。

11.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中所述并流气体包含含卤素的气体。

12.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中同位素富集的硒同位素包含74Se、76Se、77Se、78Se、80Se和82Se中的至少一种。

13.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中同位素富集的硒同位素包含80Se。