[发明专利]含有使用双酚醛的酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物

权利要求书

1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含通过包含芳香族环的有机化合物A和醛B的反应得到的树脂，所述醛B具有至少2个具有酚式羟基的芳香族碳环基，且具有该芳香族碳环基通过叔碳原子结合而成的结构，所述包含芳香族环的有机化合物A为芳香族胺。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，醛B是由下述式(1)表示的化合物，所述醛B具有至少2个具有酚式羟基的芳香族碳环基，且具有该芳香族碳环基通过叔碳原子结合而成的结构，

式(1)中，X表示单键、碳原子数1～10的亚烷基、或碳原子数6～40的亚芳基，Ar¹和Ar²分别表示碳原子数6～40的芳基；R¹和R²分别表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基、上述Ar¹基、上述Ar²基、氰基、硝基、-Y-Z基、卤素原子、或它们的组合；Y表示氧原子、硫原子、或羰基，Z表示碳原子数6～40的芳基；m₁和m₃分别表示1～(3+2n)的整数；m₂和m₄分别表示0～(2+2n)的整数；(m₁+m₂)和(m₃+m₄)表示1～(3+2n)的整数；其中，n表示由Ar¹和Ar²表示的芳基的苯环的稠合数。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，得到的树脂是具有由式(2)表示的单元结构的树脂，

式(2)中，A¹表示来源于包含芳香族环的有机化合物A的基团，X表示单键、碳原子数1～10的亚烷基、或碳原子数6～40的亚芳基，Ar¹和Ar²分别表示碳原子数6～40的芳基；R¹和R²分别表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的链烯基、碳原子数6～40的芳基、上述Ar¹基、上述Ar²基、氰基、硝基、-Y-Z基、卤素原子、或它们的组合；Y表示氧原子、硫原子、或羰基，Z表示碳原子数6～40的芳基；m₁和m₃分别表示1～(3+2n)的整数；m₂和m₄分别表示0～(2+2n)的整数；(m₁+m₂)和(m₃+m₄)表示1～(3+2n)的整数；其中，n表示由Ar¹和Ar²表示的芳基的苯环的稠合数。

4.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，芳香族胺为苯胺、萘胺、苯基萘基胺、或咔唑。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含溶剂。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含酸和/或产酸剂。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还包含交联剂。

8.一种抗蚀剂下层膜，通过将权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上，并烧成而得。

9.一种抗蚀剂图案的形成方法，用于半导体的制造，包含将权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上，并烧成从而形成抗蚀剂下层膜的工序。