[发明专利]具有非对称穿玻通孔的电子设备在审
申请号: | 201480025531.4 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN105190799A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | D·D·金;D·F·伯蒂;C·左;M·F·维纶茨;C·尹;R·P·米库尔卡;J·金;J-H·兰 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 对称 穿玻通孔 电子设备 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求共同拥有的于2013年5月6日提交的美国非临时专利申请号13/887,788的优先权,该非临时专利申请的内容通过援引全部明确纳入于此。
领域
本公开一般涉及电子设备。
相关技术描述
技术进步已产生越来越小且越来越强大的计算设备。例如,当前存在各种各样的便携式个人计算设备,包括较小、轻量且易于由用户携带的无线计算设备,诸如便携式无线电话、个人数字助理(PDA)以及寻呼设备。更具体地,便携式无线电话(诸如蜂窝电话和网际协议(IP)电话)可通过无线网络传达语音和数据分组。此外,许多此类无线电话包括被纳入于其中的其他类型的设备。例如,无线电话还可包括数码相机、数码摄像机、数字记录器以及音频文件播放器。同样,此类无线电话可处理可执行指令,包括可被用于访问因特网的软件应用,诸如web浏览器应用。如此,这些无线电话可包括显著的计算能力。
基板(例如,硅基板或玻璃基板)可以是可在其上制造半导体器件,诸如用在电子设备(例如,无线设备或计算设备)中的半导体器件的基础。硅基板一般被选择用于半导体器件制造。玻璃基板可以用作对于硅基板的替代。玻璃基板可以比硅基板便宜。同样,在涉及射频信号的应用中,玻璃基板可以引起相比于硅基板而言降低的信号衰减。穿玻通孔(TGV)可以用在玻璃基板中以创建三维堆栈的器件。TGV典型地具有圆形的横截面形状。当具有常规的圆形横截面形状的TGV被使用在非直螺线管电感器中时,该电感器易受来自由近旁电子设备生成的电磁信号的干扰,因为稀疏TGV允许电磁耦合。而同时,该电感器可能具有未达最优的电阻和降低的效率。
概述
具有圆形穿玻通孔(TGV)的电感器可能易受来自近旁电磁信号(例如,磁场)的干扰的影响。来自近旁电磁信号的干扰可以降低电感器的效率。本文中所描述的系统和方法可以有利地被用以形成较不容易受来自近旁电磁信号干扰影响的电感器。同样,该电感器可以具有提高的效率(例如,较高品质(Q)因数)。
例如,电感器(例如,超环形电感器)可以使用玻璃基板形成。该电感器可以具有内部区域和外部区域。玻璃基板的在该内部区域和该外部区域之间的区域可对应于该电感器的核。该电感器可包括非对称TGV。例如,该内部区域可包括至少一个具有圆形横截面的TGV,并且该外部区域可包括至少一个具有非圆形(例如,卵形、矩形、椭圆形、凹形等)横截面的TGV。具有非圆形横截面的TGV可以具有比具有圆形横截面的TGV更大的宽度。每个具有非圆形横截面的TGV可以与具有圆形横截面的TGV相比而言屏蔽更多的来自近旁电子设备的电磁信号。
在超环形电感器中,由该超环形电感器生成的磁场可以实质上被包含在该超环形电感器的横截面核内。该磁场影响了该超环形电感器的效率(例如,Q因数)。当磁场受到近旁电磁信号的影响时,该超环形电感器的效率被降低(例如,较低的Q因数)。通过在外部区域中使用具有非圆形横截面的TGV,外部区域中的每个TGV之间的空间相比于具有圆形横截面的TGV而言被降低了。相应地,较少的近旁电磁信号可以穿过该超环形电感器的外部区域。由此,在外部区域中使用具有非圆形横截面的TGV的超环形电感器可以较不易受到近旁电磁信号的影响。
在特定实施例中,电子设备包括一种结构。该结构包括第一组穿玻通孔(TGV)和第二组TGV。该第一组TGV包括第一通孔,且第二组TGV包括第二通孔。该第一通孔具有不同于第二通孔的横截面形状。在特定实施例中,该结构是电感器结构。
在特定实施例中,制造TGV的方法包括在玻璃基板的表面上图案化穿玻通孔(TGV)硬掩模以创建具有非圆形横截面的腔。该方法还包括通过该腔体来蚀刻玻璃基板的一部分。该方法进一步包括在所蚀刻的部分中敷设导电材料以形成具有非圆形横截面的TGV。该TGV被集成在包括一种结构的设备中。该结构包括第一组TGV和第二组TGV。该第一组TGV包括第一通孔,且第二组TGV包括第二通孔。该第一通孔具有不同于第二通孔的横截面形状。
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