[发明专利]供气装置

说明书

技术领域

本发明涉及供气装置，详细地涉及可以改善工艺腔室内的工艺气体的流动并可以提高沉积层的均匀度的供气装置。

背景技术

通常，液晶显示器件包括薄膜晶体管基板、滤色器基板和位于两个基板之间的液晶层，薄膜晶体管基板包括设置在由栅极线及数据线限定的像素区域的薄膜晶体管和像素电极，滤色器基板包括滤色器层和公共电极。

为了制造这种基板，则需要多次重复执行以下工序：向玻璃基板沉积原料物质的薄膜沉积工序、使用感光性物质来对这些薄膜中被选定区域进行暴露或隐蔽的光刻工序、通过排除被选定区域的薄膜来按照需要进行图案化的蚀刻工序、用于排除残渣的清洗工序等工序，而这些各工序在对于相应工序具有最适合环境的工艺腔室的内部执行。

图13简要示出作为制造液晶显示装置的代表性制造设备的等离子体增强化学气相沉积PECVD设备的普通结构，所述等离子体增强化学气相沉积设备包括：工艺腔室用于限定预定的反应空间的工艺腔室10；位于所述工艺腔室10的内部的基座20，在所述基座20的上面放置基板30；具有多个喷射口42的第一气体板41；以及设置于所述第一气体板41的上方并与外部的气体流入管80相连接的盖子43。

在所述盖子43和所述第一气体板41之间设有第二板50，所述第二板用于使通过所述气体流入管80流入所述第一板41的工艺气体分散。并且，在所述第二板50具有多个第二排出孔51。

所述第二气体板50呈包围所述气体流入管80的排出口附近的形状，并与所述盖子43的底表面相连接。

所述盖子43用作用于向工艺气体施加射频RF功率的等离子电极，所述盖子43与用于供给射频功率的射频功率源60相连接，在盖子43和射频功率源60之间设有用于匹配阻抗以便施加最大功率的的阻抗匹配器(I.M.B(ImpedanceMatchingBox))70。

与等离子电极相对应的电极可为被接地的基座20，并且，也可以向基座20施加射频功率。

如图14所示，在所述第二板50形成有多个第二排出孔51，且分别以相同的间隔来配置。

即，无论是所述第二板50的中央部、包围中央部的区域还是靠近第二板50的边缘部的区域，都形成有第二排出孔51，且第二排出孔51的间隔都以相同间隔来配置，而与所配置的位置无关。

但是，像这样，在第二板50的第二排出孔51的配置密度相同，而与区域无关。并且，在第二板50的大小小于所述第一板41的状态下，当流入工艺气体时，存在沉积于基板的沉积层的厚度明显不均匀的问题。

即，越从基板30的中央部靠近外围部，沉积层的高度越降低，在此情况下，则发生高度差形成10％以上的情况。

尤其，相对于氮化硅(SiNx)工序，工序类型为氧化硅(SiOx)的工序中明显发生这种情况。

像这样，当沉积层的均匀度被破坏的情况下，如开口率、电荷移动率、响应速度、分辨率等，存在降低这些直接与液晶显示器件的质量相关的要素的问题。

发明内容

技术问题

本发明为了解决如上所述的问题所提出，本发明的目的在于，设置可通过改善基板的沉积层的均匀度，来提供高质量的液晶显示器件的供气装置。

技术方案

用于实现这种目的的本发明提供具有如下特征的供气装置，所述供气装置包括：

盖子，与气体管道相连接；第一板，工艺腔室用于将流入所述盖子的气体排出到工艺腔室；第二板，设置于所述盖子和所述第一板之间，用于分散向下流动的气体；形成于所述第一板的多个排出孔；以及形成于所述第二板的多个排出孔，其中形成于所述第二板的角落部的排出孔以不同于形成在所述第一板的角落部的排出孔的状态配置，所述第一板的角落部与所述第二板的角落部对应。

其中配置于所述角落部的多个排出孔之间的间隔不同于配置在所述角落部之外的多个排出孔之间的间隔。

其中配置于所述角落部的多个排出孔之间的间隔大于配置在所述角落部之外的多个排出孔之间的间隔。

其中配置于所述角落部的排出孔的配置密度不同于配置在所述角落部之外的排出孔的配置密度。

其中配置于所述角落部的排出孔的配置密度小于配置在所述角落部之外的排出孔的配置密度。

其中配置于所述角落部的排出孔的直径不同于配置在所述角落部之外的排出孔的直径。

其中配置于所述角落部的排出孔的直径小于配置在所述角落部之外的排出孔的直径。

其中所述第一板的排出孔的数量不同于所述第二板的排出孔的数量。