[发明专利]光声基底评估系统和方法

权利要求书

1.一种用于对半导体装置上的表面下结构进行非破坏性地检验的方法，其包括：

在半导体装置的外表面上的第一位置至少诱发表面声波，所述第一位置邻近至少部分嵌入在所述半导体装置的所述外表面下方的结构；

利用探针激光器检测在半导体装置的所述外表面上的第二位置处所诱发的表面声波的影响，所述结构被至少部分地定位在所述第一位置与所述第二位置之间；

测量所述表面声波从所述第一位置行进到所述第二位置所花费的时间，以及

相对于所述结构在多个对应不同的第一位置和不同的第二位置处重复诱发、检测和测量步骤，以识别所述结构的至少一个特征。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述检测步骤包括使用所述探针激光器测量表示所述第二位置处的物理失真或折射指数中的至少一个的数据。

3.如权利要求1所述的方法，其还包括确定所述第二位置处的所诱发的表面声波的频率。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述诱发至少一个表面声波的步骤包括对泵激光器在第一预定时间段施以脉冲。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一预定时间段在一至一百纳秒之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述结构的所识别的特征为所述结构的位置。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述结构选自由通孔和柱状物组成的组并且其中所述结构的所识别的特征选自由以下各项组成的组：与异常的存在有关的数据和与所感兴趣的尺寸有关的数据。

8.如权利要求1所述的方法，其中在第二预定时间段内发生所述检测步骤，所述第二预定时间段至少部分基于所述结构相对于所述第一位置和所述第二位置的预期位置。

9.如权利要求8所述的方法，其中在第二预定时间段内发生所述检测步骤，所述第二预定时间段至少部分通过根据选自由以下各项组成的组的至少两个特征对所述表面声波在所述半导体基底的所述第一位置与所述第二位置之间行进所花费的时间建模来确定：所述半导体基底的直径、深度、形状和结构；所述半导体基底的材料；所述基底中的应力；所述结构相对于所述第一位置和所述第二位置的位置；所述结构中的材料；以及所述结构的形状。