[发明专利]用于制造光电子器件的方法

说明书

一种用于制造光电子器件（10）的方法包括如下步骤：提供衬底（100），该衬底(100)具有布置在所述衬底（100）的表面（101）上的光电子半导体芯片（200）；提供具有下部层（310）和上部层（330）的掩膜（300），其中所述下部层（310）具有下部开口（320）,而所述上部层（330）具有上部开口（340），所述开口共同地形成连续的掩膜开口（350），其中所述下部开口（320）具有比所述上部开口（340）大的面积；将所述掩膜（300）布置在所述衬底（100）的表面（101）之上，使得所述下部层（310）面向所述衬底（100）的表面（101）并且所述掩膜开口（350）被布置在所述光电子半导体芯片（200）之上；穿过所述掩膜开口（350）将涂层（400）喷涂到所述光电子半导体芯片（200）上；以及去除所述掩膜（300）。

技术领域

本发明涉及一种如在专利权利要求1中所请求保护的用于制造光电子器件的方法。

本专利申请要求德国专利申请10 2013 208 223.1的优先权，该德国专利申请102013 208 223.1的公开内容通过引用结合于此。

背景技术

公知了给包括光电子半导体芯片的光电子器件装备转换元件，所述转换元件被提供用于转换由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的波长。因此，举例来说，白色光可以根据光电子半导体芯片的在蓝色光谱范围中发射的光而被生成。

公知了用于制造转换元件并且给光电子器件装备转换元件的各种方法。一种有成本效益的且高效的方法在于给光电子半导体芯片喷雾涂布转换层。在这种情况下，包括进行波长转换的磷光体的材料被喷涂到光电子半导体芯片的发光侧上。然而，在这种情况下，该材料的包括进行波长转换的磷光体的部分也靠在光电子半导体芯片旁边沉积。这在被具体表现为表面发射器的光电子半导体芯片的情况下导致不均匀的发射特性。

发明内容

本发明的目标是详细说明一种用于制造光电子器件的方法。该目标借助包括权利要求1的特征的方法来实现。不同的扩展方案在从属权利要求中予以详细说明。

用于制造光电子器件的方法包括如下步骤：用于提供衬底的步骤，该衬底具有布置在该衬底的表面上的光电子半导体芯片；用于提供掩膜的步骤，该掩膜具有下部层和上部层，其中下部层具有下部开口,而上部层具有上部开口，这些开口共同地形成连续的掩膜开口，其中下部开口具有比上部开口大的面积；用于将掩膜布置在衬底的表面之上以使得下部层面向衬底的表面而掩膜开口被布置在光电子半导体芯片之上的步骤；用于穿过掩膜开口将层喷涂到光电子半导体芯片上的步骤；以及用于去除掩膜的步骤。

有利地，在本方法中，被喷涂上的（sprayed-on）层基本上被限于光电子半导体芯片的顶侧。仅被喷涂上的层的小部分侧向地靠在光电子半导体芯片旁边沉积。因此，根据本方法可获得的光电子器件可以有利地具有非常均匀的发射特性。由于掩膜的面向衬底的表面和面向光电子半导体芯片的下部层中的下部开口比在掩膜的上部层中的上部开口具有更大的开口面积，所以在将掩膜布置在衬底的表面之上的过程期间有利地仅存在损坏光电子半导体芯片的减小的风险。以较小的开口面积来具体表现的上部开口有利地确定了衬底的表面的其中沉积有被喷涂上的层的区域的界限。在这种情况下，上部开口的尺寸有利地被选择为小于下部开口的尺寸。

在该方法的一个实施例中，上部开口比光电子半导体芯片的背离衬底的顶侧大最多10%。在本方法中，在衬底的其中沉积有被喷涂上的层的表面处的区域的尺寸基本上通过上部开口的尺寸来限定。在上部开口比光电子半导体芯片的背离衬底的顶侧大最多10%的事实中，有利地确保了在衬底的其中沉积有被喷涂上的层的表面处的区域也并不显著地大于光电子半导体芯片的顶侧。因此，被喷涂上的层有利地基本上沉积在光电子半导体芯片的顶侧处，并且至多在小范围内沉积在光电子半导体芯片附近。