[发明专利]染料敏化太阳能电池用电极及其制造方法有效
申请号: | 201480025972.4 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN105247688B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 金和正;朴海準;李柱運 | 申请(专利权)人: | 韩国原子力研究院 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人: | 王博 |
地址: | 韩国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 染料 太阳能电池 用电 及其 制造 方法 | ||
1.一种染料敏化太阳能电池用电极,其包括:
基板;及
纳米复合体层,包括形成在所述基板上的纳米复合体,且
所述纳米复合体是金属、金属氧化物,或者其两个,及无机物质、导电聚合物或者其两个,且
所述纳米复合体在所述纳米复合体层内,对所述基板被垂直地排列,其中
所述排列对所述基板,经垂直方向形成的磁场被形成。
2.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述纳米复合体是由核心及围绕所述核心的壳体形成的核心-壳体结构,且
所述核心包括金属、金属氧化物或者其两个,且所述壳体包括无机物质、导电聚合物或者其两个,或者
所述核心包括无机物质、导电聚合物或者其两个,且所述壳体包括金属、金属氧化物或者其两个。
3.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述纳米复合体层的厚度是1nm至10μm。
4.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述金属是从由Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm及Ga形成的群中被选择的至少一个,且所述金属氧化物是从由Ti、Zr、Sr、Zn、In、Yr、La、V、Mo、W、Sn、Nb、Mg、Al、Y、Sc、Sm及Ga形成的群中选择的至少一个金属氧化物。
5.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述无机物质是含有硅的物质。
6.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述导电聚合物包括:从由聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚吲哚、聚乙炔、聚苯硫醚、聚苯乙烯、聚芘、聚咔唑、聚薁、聚吖庚因、聚芴、聚萘、聚乙烯二氧噻吩,上述的诱导体及上述的共聚物形成的群中选择的至少一个聚合物。
7.如权利要求2所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述核心具有1至100nm的入径大小,及
所述壳体的厚度是1至100nm。
8.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述无机物质及所述导电聚合物通过辐射照射产生基础聚合反应,且至少一部分相互化学性地结合。
9.如权利要求1所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述纳米复合体层通过辐射照射产生基础聚合反应,且与所述基板至少一部分化学性地结合。
10.如权利要求2所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述核心及壳体通过辐射照射产生基础聚合反应,且至少一部分相互化学性地结合。
11.如权利要求2所述的染料敏化太阳能电池用电极,其中,所述壳体包括:
形成在所述核心的表面,且包括所述导电聚合物的第一壳体,及形成在所述第一壳体的外表面,且包括所述无机物质的第二壳体,或者
形成在所述核心的表面,且包括所述无机物质的第一壳体,及形成在所述第一壳体的外表面,且包括所述导电聚合物的第二壳体,或者
形成在所述核心的表面,且包括所述金属的第一壳体,及形成在所述第一壳体的外表面,且包括所述金属氧化物的第二壳体,或者
形成在所述核心的表面,且包括所述金属氧化物的第一壳体,及形成在所述第一壳体的外表面,且包括所述金属的第二壳体。
12.一种染料敏化太阳能电池用电极的制造方法,其步骤包括:
在基板涂上包括金属前驱化合物、导电单体及无机物质前驱的反应溶液;及
将辐射照射在所述反应溶液,形成纳米复合体层;及
形成所述纳米复合体层之后,将所述纳米复合体层内的所述纳米复合体,对所述基板由垂直方向排列,且
所述排列的步骤对所述基板,经垂直方向形成磁场并执行。
13.如权利要求12所述的染料敏化太阳能电池用电极的制造方法,其中,所述导电单体包括:从由苯胺、噻吩、吡咯、吲哚、乙炔、苯硫醚、苯乙烯、芘、咔唑、薁、吖庚因、芴、萘、乙烯二氧噻吩,及上述的诱导体形成的群中选择的至少一个。
14.如权利要求12所述的染料敏化太阳能电池用电极的制造方法,其中,所述反应溶液对溶剂100重量份包括金属或者金属氧化物前驱0.1至10重量份、导电单体0.1至10重量份,及无机盐0.1至10重量份。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国原子力研究院,未经韩国原子力研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480025972.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光器件及其制备方法
- 下一篇:模制的LED光板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的