[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器

说明书

技术领域

本发明涉及一种能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上的热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器。

背景技术

使用于温度传感器等的热敏电阻材料为了高精度、高灵敏度而要求较高的B常数。以往，这种热敏电阻材料通常为Mn、Co、Fe等的过渡金属氧化物(参考专利文献1～3)。并且，在这些热敏电阻材料中，为了得到稳定的热敏电阻特性，需要550℃以上的烧成等热处理。

并且，除了由如上述的金属氧化物构成的热敏电阻材料，例如在专利文献4中，提出由以通式：M_xA_yN_z(其中，M表示Ta、Nb、Cr、Ti及Zr中的至少一种，A表示Al、Si及B中的至少一种。0.1≤x≤0.8、0＜y≤0.6、0.1≤z≤0.8、x+y+z＝1)表示的氮化物构成的热敏电阻用材料。而且，在该专利文献4中，作为实施例仅记载有如下材料，即为Ta-Al-N系材料，且设定为0.5≤x≤0.8、0.1≤y≤0.5、0.2≤z≤0.7、x+y+z＝1。该Ta-Al-N系材料通过将含有上述元素的材料用作靶，且在含氮气气氛中进行溅射而制作。并且，根据需要，对所得的薄膜以350～600℃进行热处理。

并且，作为与热敏电阻材料不同的一例，例如在专利文献5中，提出由以通式：Cr_100-x-yN_xM_y(其中，M为选自Ti、V、Nb、Ta、Ni、Zr、Hf、Si、Ge、C、O、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Al及稀土类元素的一种或两种以上的元素，结晶结构主要为bcc结构或主要为bcc结构与A15型结构的混合组织。0.0001≤x≤30、0≤y≤30、0.0001≤x+y≤50)表示的氮化物构成的应变传感器用电阻膜材料。该应变传感器用电阻膜材料在将氮量x、副成分元素M量y均设为30原子％以下的组成中，根据Cr-N基应变电阻膜传感器的电阻变化，用于应变和应力的测量以及变换。并且，该Cr-N-M系材料用作含有上述元素的材料等的靶，且在含有上述副成分气体的成膜气氛中进行反应性溅射而被制作。并且，根据需要，对所得的薄膜以200～1000℃进行热处理。

专利文献1：日本专利公开2000-068110号公报

专利文献2：日本专利公开2000-348903号公报

专利文献3：日本专利公开2006-324520号公报

专利文献4：日本专利公开2004-319737号公报

专利文献5：日本专利公开平10-270201号公报

上述以往的技术中，留有以下课题。

近年来，对在树脂薄膜上形成热敏电阻材料的薄膜型热敏电阻传感器的开发进行研讨，期望开发出能够直接成膜在薄膜上的热敏电阻材料。即，期待通过使用薄膜而得到可挠性热敏电阻传感器。进而，期望开发出具有0.1mm左右厚度的非常薄的热敏电阻传感器，但以往常常使用采用了氧化铝等陶瓷的基板材料，若厚度例如变薄到0.1mm，则存在非常脆弱且容易破碎等问题，但期待通过使用薄膜而得到非常薄的热敏电阻传感器。

然而，由树脂材料构成的薄膜通常耐热温度较低为150℃以下，即使是已知为耐热温度比较高的材料的聚酰亚胺，由于也只有200℃左右的耐热性，因此在热敏电阻材料的形成工序中施加热处理时难以适用。上述以往的氧化物热敏电阻材料，为了实现所希望的热敏电阻特性，需要550℃以上的烧成，存在无法实现直接成膜在薄膜上的薄膜型热敏电阻传感器的问题。因此，期望开发出能够在非烧成条件下直接成膜的热敏电阻材料，而即使是上述专利文献4中记载的热敏电阻材料，为了得到所希望的热敏电阻特性，根据需要有必要将所得的薄膜以350～600℃进行热处理。并且，该热敏电阻材料在Ta-Al-N系材料的实施例中，虽然得到了B常数：500～3000K左右的材料，但没有有关耐热性的记述，且氮化物系材料的热可靠性不明确。

并且，专利文献5的Cr-N-M系材料是B常数较小为500以下的材料，并且，若不实施200℃以上1000℃以下的热处理，则无法确保200℃以内的耐热性，因此存在无法实现直接成膜在薄膜上的薄膜型热敏电阻传感器的问题。因此，期望开发出能够在非烧成条件下直接成膜的热敏电阻材料。

发明内容