[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘表面上的第一氧化物半导体层；

所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层；

所述第二氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层；

所述第二氧化物半导体层上的第三氧化物半导体层；

所述第三氧化物半导体层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的栅电极层；以及

所述绝缘表面、所述源电极层、所述漏电极层以及所述栅电极层上的绝缘层，

其中，所述源电极层的侧面与所述第二氧化物半导体层的第一侧面直接接触于第一布线的表面，

其中，所述漏电极层的侧面与所述第二氧化物半导体层的第二侧面直接接触于第二布线的表面，

其中，所述第三氧化物半导体层的第一部分与所述源电极层直接接触，

其中，所述第三氧化物半导体层的第二部分与所述漏电极层直接接触，

其中，到达所述第二氧化物半导体层的第一部分及所述源电极层的一部分的第一开口位于所述绝缘层中，

其中，到达所述第二氧化物半导体层的第二部分及所述漏电极层的一部分的第二开口位于所述绝缘层中，

其中，到达所述栅电极层的一部分的第三开口位于所述绝缘层中，

其中，在所述第一开口中，所述第二氧化物半导体层及所述源电极层电连接于所述第一布线，

其中，在所述第二开口中，所述第二氧化物半导体层及所述漏电极层电连接于所述第二布线，并且

其中，在所述第三开口中，所述栅电极层电连接于第三布线。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物半导体层的导带底的能量比所述第二氧化物半导体层的导带底的能量更接近于真空能级0.05eV以上且2eV以下，并且

其中所述第三氧化物半导体层的导带底的能量比所述第二氧化物半导体层的所述导带底的所述能量更接近于真空能级0.05eV以上且2eV以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层及所述第三氧化物半导体层都是In-M-Zn氧化物，

其中M为Al、Ti、Ga、Y、Zr、La、Ce、Nd和Hf中的一个，并且

其中所述第一氧化物半导体层及所述第三氧化物半导体层的每一个中的M对于In的原子个数比高于所述第二氧化物半导体层中的M对于In的原子个数比。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一氧化物半导体层、所述第二氧化物半导体层及所述第三氧化物半导体层各包括c轴取向结晶。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述源电极层及所述漏电极层各包括Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo和W中的一个。

6.一种包括权利要求1所述的半导体装置的电子设备。