[发明专利]压电体薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201480026406.5 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105229810B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 勅使河原明彦;加纳一彦;秋山守人;西久保桂子 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L41/316 | 分类号： | H01L41/316;C23C14/06;H01L41/187 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
1.一种压电体薄膜，其是通过溅射得到的并且由钪铝氮化物制成的压电体薄膜，其中，碳原子含有率为0.1原子％以上且2.5原子％以下。
2.根据权利要求1所述的压电体薄膜，其中，所述碳原子含有率为1.5原子％以下。
3.根据权利要求1所述的压电体薄膜，其中，所述碳原子含有率为0.75原子％以下。
4.一种压电体薄膜的制造方法，其是制造权利要求1～3中任一项所述的压电体薄膜的方法，其中，实施下述一元溅射工序：在至少含有氮气的气氛下，从由钪铝合金制成的合金靶材(10)向基板(2)上同时溅射钪(101)和铝(102)，由此制造所述压电体薄膜，
所述合金靶材(10)由碳原子含有率为0.2原子％以上且5原子％以下的钪铝合金制成。
5.根据权利要求4所述的压电体薄膜的制造方法，其中，所述合金靶材(10)由碳原子含有率为3原子％以下的钪铝合金制成。
6.根据权利要求4所述的压电体薄膜的制造方法，其中，所述合金靶材(10)由碳原子含有率为1.5原子％以下的钪铝合金制成。
7.一种压电体薄膜的制造方法，其是制造权利要求1～3中任一项所述的压电体薄膜的方法，其中，实施下述二元溅射工序：在至少含有氮气的气氛下，从由钪制成的Sc靶材和由铝制成的Al靶材向基板上同时溅射铝和钪，由此制造碳原子含有率为0.1原子％以上且2.5原子％以下的所述压电体薄膜，
所述压电体薄膜由通式ScxAl1-xN(0<x<1)所表示的钪铝氮化物制成，所述Sc靶材由碳原子含有率为5/x原子％以下的钪制成。
8.根据权利要求7所述的压电体薄膜的制造方法，其中，所述Sc靶材由碳原子含有率为3/x原子％以下的钪制成。
9.根据权利要求7所述的压电体薄膜的制造方法，其中，所述Sc靶材由碳原子含有率为1.5/x原子％以下的钪制成。
10.一种压电体薄膜的制造方法，其是制造权利要求1～3中任一项所述的压电体薄膜的方法，其中，实施下述离子照射溅射工序：将由钪铝合金制成的合金靶材(10)与基板(2)相对地配置，对与基板(2)相对的所述合金靶材(10)的面(105)倾斜地照射离子束(31)，从所述合金靶材(10)向基板(2)上同时溅射钪(101)和铝(102)，由此制造所述压电体薄膜，
在所述离子照射溅射工序中，照射至少含有氮离子的所述离子束，或者在至少含有氮气的气氛下照射所述离子束。
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