[发明专利]包含一种或多种选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.用于化学机械抛光的化学机械抛光(CMP)组合物，其包含以下组分：

(A)在范围介于2至6的pH值下具有-15 mV或-15 mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子，

(B)0.05至3重量%的一种或多种选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物，

(C)水，

(D)任选一种或多种其他成分，

其中组合物的pH值在2.2至4的范围内，

其中所述二氧化硅粒子为胶态二氧化硅粒子，且经铝酸根进行阴离子改性。

2.如权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中聚合物(B)中的一种、至少一种或全部具有在3000 g/mol至100000 g/mol范围内的平均分子量。

3.如权利要求1的化学机械抛光(CMP)组合物，其中聚合物(B)选自N-乙烯基吡咯烷酮聚合物及N-乙烯基吡咯烷酮/N-乙烯基咪唑共聚物。

4.如权利要求2的化学机械抛光(CMP)组合物，其中聚合物(B)选自N-乙烯基吡咯烷酮聚合物及N-乙烯基吡咯烷酮/N-乙烯基咪唑共聚物。

5.如权利要求1-4中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其中

-(A)在范围介于2至6的pH值下具有-15 mV或-15 mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的总量以CMP组合物的总重量计，在0.01至30重量%的范围内，

和/或

-(B)选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物的总量以CMP组合物的总重量计，在0.05至3重量%的范围内。

6.如权利要求1-4中任一项的化学机械抛光(CMP)组合物，其包含一种或多种其他成分作为组分(D)，

其中组分(D)的所述其他成分中的一种或至少一种或全部选自氧化剂、不同于在范围介于2至6的pH值下具有-15 mV或-15 mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的磨料、稳定剂、表面活性剂、减摩剂、缓冲物质。

7.如权利要求5的化学机械抛光(CMP)组合物，其包含一种或多种其他成分作为组分(D)，

其中组分(D)的所述其他成分中的一种或至少一种或全部选自氧化剂、不同于在范围介于2至6的pH值下具有-15 mV或-15 mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的磨料、稳定剂、表面活性剂、减摩剂、缓冲物质。

8.选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物作为包含在范围介于2至6的pH值下具有-15 mV或-15 mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的化学机械抛光(CMP)组合物的添加剂的用途，其中所述表面改性二氧化硅粒子为胶态二氧化硅粒子，且经铝酸根进行阴离子改性，其中所述化学机械抛光(CMP)组合物用于化学机械抛光，其中所述组合物的pH值为2.2-4且所述组合物包含0.05至3重量%的所述选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物。

9.如权利要求8的用途，其中选自N-乙烯基均聚物和N-乙烯基共聚物的聚合物具有在3000 g/mol至100000 g/mol的范围内的平均分子量。

10.用于制造半导体装置的方法，其包括在如权利要求1-7中任一项所定义的化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光基材或层。

11.如权利要求10的方法，其中基材或层含有一种或多种III-V族材料。

12.如权利要求11的方法，其中所述一种、至少一种或全部III-V族材料选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb和GaInAsSb。

13.如权利要求1-7中任一项所定义的化学机械抛光(CMP)组合物的用途，其用于抛光含有一种或多种III-V族材料的基材或层，其中III-V族材料中的一种或至少一种或全部选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb和GaInAsSb。