[发明专利]包含N,N,N＇,N＇‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.化学机械抛光(CMP)组合物在抛光含有一种或多种III-V族材料的基材或层中的用途，其中所述化学机械抛光(CMP)组合物包含以下组分：

(A)在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子，

(B)N,N,N',N'-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸，

(C)水，

(D1)过氧化氢，其量基于CMP组合物的总重量为0.01至5重量％，

(D)任选一种或多种其他成分，

其中组合物的pH值在2至6的范围内，其中组分(A)的在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子为经金属酸根离子进行阴离子改性或经磺酸改性的二氧化硅粒子。

2.如权利要求1的用途，其中所述一种或多种III-V族材料III-V族材料选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb和GaInAsSb。

3.如权利要求1或2的用途，其中组分(A)的在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子为经选自铝酸根、锡酸根、锌酸根和铅酸根的金属酸根离子进行阴离子改性的二氧化硅粒子。

4.如权利要求1或2的用途，其中组分(A)的在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子为经铝酸根进行阴离子改性的二氧化硅粒子。

5.如权利要求1或2的用途，其中

-(A)在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的总量以化学机械抛光(CMP)组合物的总重量计，在0.1重量％至30重量％的范围内，和/或

-(B)N,N,N',N'-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的总量以化学机械抛光(CMP)组合物的总重量计，在0.01至3重量％的范围内。

6.如权利要求1或2的用途，其中所述化学机械抛光(CMP)组合物包含一种或多种其他成分作为组分(D)，

其中组分(D)的所述其他成分中的一种或至少一种或全部选自氧化剂、不同于在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的磨料、稳定剂、表面活性剂、减摩剂、缓冲物质。

7.N,N,N',N'-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的用途，其作为包含在范围介于2至6的pH值下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅粒子的化学机械抛光(CMP)组合物的添加剂，其中所述添加剂为用于增加III-V族材料的移除速率的添加剂。

8.如权利要求7的用途，其中III-V族材料选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb和GaInAsSb。

9.用于制造半导体装置的方法，其包括在如权利要求1-6中任一项中定义的化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光基材或层，其中基材或层含有一种或多种III-V族材料。

10.如权利要求9的方法，其中III-V族材料中的一种或至少一种或全部选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb和GaInAsSb。