[发明专利]电解处理方法及电解处理装置有效
申请号: | 201480026921.3 | 申请日: | 2014-05-12 |
公开(公告)号: | CN105229205B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 岩津春生;秋山秀典 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;国立大学法人熊本大学 |
主分类号: | C25D17/10 | 分类号: | C25D17/10;C02F1/46;C02F1/461 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电解 处理 方法 装置 | ||
1.一种电解处理方法,其是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理方法,且包括:
电极配置步骤,以隔着所述处理液的方式分别配置直接电极与对向电极,并且配置在该处理液中形成电场的间接电极;
被处理离子移动步骤,通过对所述间接电极施加电压,而使所述处理液中的被处理离子向所述对向电极侧移动;及
被处理离子氧化还原步骤,通过对所述直接电极与所述对向电极之间施加电压,而使移动到所述对向电极侧的所述被处理离子氧化或还原,
在利用所述间接电极使所述被处理离子移动时,不进行该被处理离子的电荷交换。
2.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,将所述直接电极与所述间接电极分别对向地配置。
3.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,将所述直接电极与所述间接电极正面及背面一体地配置。
4.根据权利要求3所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,以所述直接电极的正面与所述间接电极的背面抵接的方式,将所述直接电极与所述间接电极一体地配置。
5.根据权利要求3所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,以所述直接电极覆盖所述间接电极的整体的方式,将所述直接电极与所述间接电极一体地配置。
6.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,将所述间接电极与所述对向电极分别对向地配置。
7.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,配置多个所述对向电极。
8.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,将所述直接电极、所述间接电极及所述对向电极分别浸渍在所述处理液中而配置。
9.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,对所述对向电极的上表面供给所述处理液,进而在该处理液上配置所述直接电极。
10.根据权利要求9所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,在所述对向电极的下表面侧或所述直接电极的上表面侧配置所述间接电极。
11.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
所述直接电极被维持为电浮动状态。
12.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述被处理离子移动步骤中,对所述间接电极施加的电压为连续地施加的直流电压;
在所述被处理离子氧化还原步骤中,对所述直接电极与所述对向电极之间施加的电压为脉冲电压。
13.根据权利要求1所述的电解处理方法,其中
在所述电极配置步骤中,所述对向电极是对于所述直接电极与所述间接电极共用地配置;
在所述被处理离子移动步骤中,对所述间接电极与所述对向电极之间施加电压,而使所述被处理离子向所述对向电极侧移动。
14.一种电解处理装置,其是使用处理液所含有的被处理离子进行规定处理的电解处理装置,且
包含以隔着所述处理液的方式配置的直接电极与对向电极,还包含在所述处理液中形成电场的间接电极;且
所述间接电极是通过被施加电压,而使所述处理液中的被处理离子向对向电极侧移动;
所述直接电极是通过在其与所述对向电极之间施加电压,而使移动到所述对向电极侧的所述被处理离子氧化或还原,
在利用所述间接电极使所述被处理离子移动时,不进行该被处理离子的电荷交换。
15.根据权利要求14所述的电解处理装置,其中
所述直接电极与所述间接电极是分别对向地配置。
16.根据权利要求14所述的电解处理装置,其中
所述直接电极与所述间接电极是正面及背面一体地配置。
17.根据权利要求16所述的电解处理装置,其中
所述直接电极与所述间接电极是以所述直接电极的正面与所述间接电极的背面抵接的方式一体地配置。
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